1樓：
你的問題問得太寬泛了放大電路也有很多種 jfet的? MOS的? 雙極性的? 裡面又可以細分各種各樣
建議你閱讀模擬電路基礎,再來看看吧
2樓：
這就像你小時候玩兒積木是乙個道理，你得先咬一咬，摔一摔，摞一摞，看看積木到底怎麼放會穩定，怎麼放好看，然後你根據自己心中的構想，去搭建自己想要的樣子。時間久了，你自然知道該怎麼玩兒。這裡面哪項因素最關鍵，哪些起的是主導因素，這不一定的，為此呢，電晶體放大器設計上，有多種不同的理論模型。
什麼H引數、Z引數、Y引數的，各有各的用場，我們設計不同電路時，要參照不同電晶體放大電路模型。但是一般地講，增益是關鍵因素，此外，還有一些個性化的要求，總的來講，你說的那些沒給出的引數，往往就是需要根據使用需要，自定的或計算出來的引數。
比如說設計小訊號放大器吧，IcQ多高？需要看電晶體說明書裡的Nf曲線，我們要選雜訊最低點的IcQ，查圖可以知道，某低雜訊管的最低雜訊點在60uA，我們再根據這個IcQ設計其他器件；IbQ呢，一般情況下我們不去算，因為這個量不好控制,我們一般是控制Ube的；那Rc是哪兒來的呢，通常情況下，這是和負載電阻，也就是下一級放大器的輸入電路併聯的（交流上看就是這樣的），為了保證阻抗匹配效果，Rc最好等於rL；那Re又是什麼怎麼選的呢？我們翻翻書就知道Rc、Re之比，決定了電路增益大小，因此Re有需要參照著Rc選，此外，Re又與三極體工作穩定性有著密切關係，他是負反饋電路的關鍵環節，我們必須要把電晶體因為溫度變化而變化的Ube變化量抵消掉，這個變化量是0.
3v（即0.5~0.8V），所以我們又要根據0.
3V/IcQ，選乙個Re最低值，然後去倒算Rc。
總之，玩兒電晶體電路，就像玩兒積木，這是個實踐性很強的活動，你必須直接面對工程圖紙，邊學邊理解，光看電路基礎教程是肯定學不會的。
3樓：
簡單說就是靜態分析和動態分析，使用的模型可以參考教材或鈴木雅臣著的《電晶體電路設計》，後者比較偏向實際工程。書中內容很多很詳細，這方面就不贅述了。模型沒選錯的話，計算和實際是不會相差太大的。
聊點書上沒有的且容易出問題的點吧。PCB寄生電感和電容，高頻不能忽略。三極體的Datasheet每個引數都要搞明白含義，真的要一項都不漏。
買的三極體一定要和規格書對應。沒有特殊需求盡量用運放，這解決了很多器件一致性方面的問題。
分享、反對、舉報三連。
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