1樓：smszw
設計一塊功放板時，為了在幾十種型號的管子中方便地為輸入管選型，我使用了管座——此為背景——因為更換管子太方便了，以至於經常插錯管腳，最多的錯誤就是CE倒置，這種情況下電路仍能工作，只不過增益明顯降低，一下子就能聽出來，沒有損壞的情況。
2樓：纏天下
你說這種情況叫做三極體的倒置連線。這樣連線後，發射結是反偏置的，相當於發射結是斷開的，也相當於發射極斷開了，三極體就相當於二極體了。
3樓：
當然可以互換使用的。
從工藝角度講，三極體的發射結（基區）薄厚決定了放大倍數，集電結薄厚、面積決定了耐壓耗散功率和開關速度，CE就是據此製造出來的。你把CE反接，就相當於把基區弄厚了，這除了能降低了三極體的耐壓和放大倍數，其他方面沒影響——當然，三極體就這倆引數最重要，除此以外也沒啥了。
舉個栗子~！
這是乙個有趣的雙頻率振盪器，它使用了乙隻PNP三極體。發射級在上，集電極在下，上下兩側的電路結構完全一樣，只是EB、CB之間各接了不同頻率的晶振，當我們給上端接正10V，GND接0V時，它會輸出A頻率；而當我們把Ecc接0V，GND接10V時，相當於CE互換使用，電路又會輸出B頻率。
4樓：西瓜騎士敢愛敢送
學術上叫反向放大區，實際上由於集電極和發射極參雜不同，面積不同，反著用的話增益會下降。這只適合個人歪歪。
在實際設計晶元的時候，沒有人會反著用的，哈哈哈
5樓：Jld
能交換，但是要付出以下代價：
①放大倍數下降
②降低管子工作電壓。實際管子發射極和基極的反向擊穿電壓在6V左右模電書中的三極體集電極和發射極對稱的結構圖僅僅是PNP或NPN的一種表示形式
實際中的三極體不是對稱的，結構不對稱，摻雜濃度也不對稱，主要考慮增加發射結的發射效率，增加集電結的收集面積，降低基極的電子空穴復合率，加大集電極和基極反向耐壓值
當然，如果製造出發射極和集電極結構和濃度對稱的三極體，是可以交換的。但是，這種管子的放大倍數不如現有管子正常使用條件時的放大倍數，同樣現有管子錯誤使用條件下的放大倍數不如對稱管子，此類對稱管子放大倍數和耐壓只能選擇一種效能
因此，沒有必要製作對稱的管子，實際的管子最好也不要交換
6樓：lotus
這種情況稱作倒置，TTL閘電路反相器裡有用到。前面幾位答的比較清楚，我凝練一下。三極體的貝塔值主要取決於基區復合率：
NPN管正置時，發射結放」水」，集電結吸「水」，由於集電結面積大且電場強，故吸的快，並且水量巨大，來勢洶湧（發射區重摻雜），電子在基區停留時間很短，復合率低，貝塔大。倒置時，集電結放水，發射結吸水，由於違背了設計初衷，一方面水流小且慢（集電區輕摻雜），像快乾涸的小溪，另一方面發射結電場弱吸力不夠，導致基區電子運動緩慢，復合率高，貝塔小。
7樓：
不邀自答。某些情況下CE互換效果會更好。
首先，CE是不對稱的，檢驗方法如下，用數字萬用表二極體檔量BC及BE，你會發現BE的值大一些，用4位半的表很容易看得到，3位半的應該也可以。
其次，互換使用後有缺點，VECO比VCEO要小太多，VECO大約只有5-6V，而VCEO都會比這個要大小功率管20-30V，大功率管可以到150V，所以互換要慎用。
第三，互換使用有如下優點：飽和壓降會更小。利用這個特點，可以在音訊通道的靜音線路上互換使用。
當年的VCD的模擬輸出部分靜音線路都這樣做。如果按正常的接法，靜音後還會有一些殘留的聲音輸出，互換後效果好太多了。
另外，互換後hfe變得很小，在設計是要注意給B足夠的電流。
8樓：
原則上是可以，但BJT的E區載流子濃度高，屬於重摻的半導體，B區和C區都是輕摻雜。與E區作為載流子的發射區，可以的得到非常高的發射效率λ，使得β＝λ/（1－λ）可以很高。這就可以讓BJT有較好的效能。
如果你讓C區當載流子的發射區，發射效率會很小！恐怕這BJT就放大的功能而言是無法勝任了。
9樓：甚誰
理論上可以，但這樣會使放大係數變的很小。
而且如果是緩變基區電晶體，反向放大時基區渡越時間會非常大，導致放大係數非常小。
或許反向放大在某些地方會有用（擊穿現象還有人用來做穩壓管呢），但我看微電子器件教材上也只是一帶而過，說有反向放大狀態。學生黨就知道這些，等專業人士來說具體有哪些作用吧～
10樓：maythe4thbewithu
@李林輝說的大部分都對，BJT不可以交換，因為集電極和發射極的摻雜濃度不一樣，和基極之間的內建電場寬度也相當不同，交換之後和之前正常的BJT效能差了很很多。
至於MOS管，如果是標準的普通CMOS管，則完全可以交換，沒有任何問題，因為它們源漏完全對稱，在設計電路的時候呼叫模型時，根本不用考慮源還是漏，儘管模型上已經標好了源漏的標誌，但隨意使用都不會有任何問題。而BJT就不一樣了，呼叫的模型給你標好了發射極或者集電極，那麼你就只能按照它標的來用，反了的話，就不對了。
11樓：楊文超
集電極和發射極的雜質摻雜濃度不一樣，因此在加電壓時多子或者少子移動的濃度不同，所形成電流也不同。發射極電流（1+β）ib,集電極電流βib模電課本上有寫的。——正被模電凌虐的人看到這個問題很激動。
12樓：
臨床上有把pHEMT管和MOS管的drain和source互換使用的，但BJT和HBT管卻沒有，原因見匿名大牛 @華思通 所述。
通俗的說，你固然可以倒立，但你見過有正常人倒立著上街走路的嗎？
13樓：瘋狂的蔬菜
為了優化效能，BJT的CE摻雜濃度是不一樣的。結果就是倒過來beta值會下降很多。半導體物理層面的具體分析知乎上是有的。「可不可以」就要具體看這只BJT在電路中的作用了。
下面是NPN的S8050，CE正常和CE互換的差別。
14樓：tang
類似問題有很多，答案也有，簡要說就是BJT和MOS不像，MOS你可以顛倒用，BJT為了優化performance，它CE摻雜濃度和Lin Damon說一樣是有偏向性的，這種情況你倒過來用，用大概可以用，只是效能很渣罷了。
三極體（BJT）工作在飽和區為什麼要求集電極正偏？
孫衛 三極體的集電極電流，發射極電流是放大倍數乘以基極電流，如果是在放大區，正比關係，如果出於飽和區，基極電流提高，集電極電流變化很小，則三極體的集電極電流飽和。 秦始皇帝 三極體總共有三個狀態 截止區，飽和區和放大區截止區 發射結反偏或兩端電壓為零 零偏 正偏 但是正偏電壓小於門坎電壓 集電結反偏...
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aaron 1 並不會流到基極外部，只是電流路徑會經過基極 2 因1而得，集電電位不可能比基極更低，只會更高，畢竟電流路徑包括並不限於 3 因2而得，集電極電壓不可能低於0.7V 一般三極體引數，因為基極電壓是0.7V，具體看模電，穩定工作點的基極電壓 子慕雲 1 NPN三極體的電流流向一直是由集電...
三極體是如何導通的？
三極體能導通的前提，是發射結的電流能往外跑，這樣，當發射結正偏時，Ie才能夠漂進你想它去的地方，也就是集電區，成為Ic。 胡雙林 以NPN型三極體為例，三極體B極與E極構成乙個PN結，我們把從B極過來經過這個PN結的電流稱作基極電流iB,B極與C極構成另乙個PN結，我們把從C極過來經過這個PN結的電...