對於平衡態的半導體,電子濃度 空穴濃度 載流子濃度的平方。請問此時載流子濃度怎麼測量?

時間 2021-06-05 03:13:57

1樓:神秘博士DoctorWu

有必要澄清半導體知識的「空穴」是價帶的,而自由電子是導帶的。

半導體知識的「空穴」的移動,能夠被拆分成三段過程。1、價帶的電子上公升到導帶留下了價帶的空穴。2、導帶的電子受電場驅使移動一定距離。

3、導帶的電子回到價帶,復合另乙個已存在的空穴。

三段過程敘述了「空穴」看起來在價帶裡移動。科研技術人員在已經約定俗成的概念裡能夠無差錯地交流。

1、價帶的電子上公升到導帶留下了價帶的空穴,也等於導帶裡的空穴移動到價帶。2、導帶的電子受電場驅使移動一定距離,也等於導帶的空穴在電場影響下移動一定距離。3、導帶的電子回到價帶,復合另乙個已存在的空穴,也等於空穴從價帶移動到導帶。

由此,空穴和電子兩個概念才是處處對稱的。那麼載流子濃度到底考察了什麼?其實,要麼只考察電子,要麼只考察空穴就對了。現世的,相當多的文獻把電子和空穴計算雙重遍,就不點名道姓了。

吳翔:雙極型?單極型?重點不在多數載流子

2樓:果凍豆人

拋磚引玉。

常規來講,載流子濃度的實驗測定往往是依靠霍爾效應(通直流電,載流子定向運動,在外加磁場的作用下發生偏轉,進而在垂直電流的方向上產生霍爾電壓)。運用電場和磁場作用力的平衡條件就可以簡單地得到霍爾電壓和載流子濃度的關係。

然而,對於熱平衡狀態的半導體而言,其中的電子和空穴濃度近似,外加磁場造成偏轉引起的霍爾電場方向又相反,數值上會抵消測得的霍爾電壓,從而使載流子濃度的測定變得困難。這種情況下,往往需要結合低溫時(未發生熱激發)的電輸運資料進行推算了。

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