1樓：李佰卓
我簡單介紹一下聲子散射。
當晶體中的載流子運動時，即會遭受到熱振動原子的散射（靜止原子並不散射載流子），它們交換能量將以ωq為單元進行，若電子從晶格振動獲得ωq能量,就稱為吸收乙個聲子；若電子交給晶格ωq能量,就稱為發射乙個聲子。這種作用可採用載流子與聲子的散射來描述，即稱為聲子散射。
系統中聲子的數目與溫度有關：因為溫度越高，晶格振動就越劇烈，其能量量子數目就越多，即聲子數也就越多。因此隨著溫度的上公升，聲子散射載流子的作用也就越顯著。
在室溫下、或者更高的溫度下，半導體中的載流子主要是遭受到聲子的散射（只有在很低的溫度下才是以電離雜質中心的散射為主）。所以，溫度越高，載流子遭受到聲子散射的機率就越大，從而遷移率和擴散係數也就越小。一般，在室溫下，由於聲子散射的緣故，半導體載流子遷移率隨著溫度T的公升高而T-3/2式地下降。
至於晶體中聲子之間的相互作用，如果聲子的動量沒有發生變化，而是兩個聲子碰撞而產生第三個聲子的過程，就常常簡稱為正規碰撞（散射）過程（normal process）或者N過程。因為正規碰撞過程只改變動量的分布，而不影響熱流的方向，故對熱阻沒有貢獻。
如果聲子的動量發生了變化，正如右圖的U-Process所示：
其中，G是反格仔向量，值為2π/a；K1和K2兩個聲子碰撞所產生的第三聲子的動量已經超越了第一布里淵區（圖中的灰色方框代表了第一布里淵區的範圍）。第一布里淵區里包含著所有可能單獨存在的聲子的波向量的可能值。但是在這個過程中，能量是守恆的，也就是說。
這種聲子散射機制隨著溫度的公升高而不斷加強，也這是導致矽材料熱導率從25K是的5500W/m·K下降到300K時148W/m·K的主要原因。
2樓：
載流子的散射指載流子在半導體中運動時，便會不斷與熱振動著的晶格原子或電離了的雜質原子發生作用，碰撞後載流子的速度的大小和方向發生改變。根本原因是週期性勢場的被破壞。
主要散射機構:
1.電離雜質散射:載流子和電離雜質原子間的相互作用，散射概率P∝NiT∧（-3/2），其中Ni=Na+Nd
2.晶格振動散射（聲子散射）聲子是一中非真實的準粒子，用來描述晶體原子熱運動--晶格振動規律的一種能量量子，能量為hwa，當晶體中的載流子運動時，會與熱振動的晶格原子之間相互作用，吸收或發射聲子。
3.谷間散射:對多能谷半導體電子可以從乙個極值附近散射到另乙個極值附近。準動量變化。有g散射，f散射。
4.中性雜質散射:低溫下雜質沒有充分電離，沒有電離的雜質呈中性，這種中性雜質對週期性勢場有一定微擾作用。
5.位錯散射
6.合金散射（混合晶體所特有）
ps:剛考完研，只會這麼多。
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