1樓：小叮噹
兩者的區別，前面已經有了很好的回答。稍微補充一下為什麼dielectric etch 要用 CCP.
SIO2, Si3N4的化學鍵能高，需要更高的能量來打破化學鍵。Plasma 產生特性上CCP中的power 更容易傳達到sheath，所以離子能量更高。並且就裝置本身來說CCP 裝置的power 可以設定為幾千甚至幾萬w， 而ICP 裝置的power 使用範圍一般低於2000w.
另外CCP 裝置蝕刻的選擇比更高。 CCP在高頻率下可以獲得高離子化率和低解離率。解離率高時 F radical 多， F的化學反應速度很快，基本時各向同性蝕刻，對於SiO2, SI3N4, Si的選擇性差。
CCP 主要用於SiO2, Si3N4 和ACL 等蝕刻。
ICP 主要用於 poly Si, TiN, W 等。
2樓：Jedi 姜
Apus 寫得很好，我就不獻醜了。只提兩點：
各種 dry etching 對 parts 也會損傷，除了成本考量外，對 process 的穩定性也有巨大影響。當年就是這樣用 DRM 在 tri-level deep contact，打得 TCP 潰不成軍。
在 WLCSP 的 RDL metal PVD，也都有配置乙個 ICP 腔作 pre-clean，但不是etching 而是 sputtering。
FYI。
3樓：FA農民工
先簡單寫一點以後再補充
從生成的plasma特性來說
ICP 等離子體密度高
CCP等離子體轟擊力強
實際上做etch的就那幾家,根據這幾家採用ICP/TCP/CCP,以及刻蝕Poly/Metal/Oxide就能大致得出一些比較簡單的結論
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