半導體材料和MOSFET的學習,對元件進行了c v測定和c f測定,結果怎麼看?

時間 2021-07-14 03:19:10

1樓:笨虎是只貓

想要請教實際操作時的判斷方法。(大家只通過這兩個圖能了解到什麼?有哪些是可以通過計算的得到的?有哪些是可以以此為根據推斷情況的?請賜教!)

在已知相對介電常數的情況下

比如說這個C-V測定圖的上半部分的圖,我可以根據注入到飽和的電容差,來計算半導體層的膜厚。可以根據曲線的平滑程度,來判斷注入的情況,以此估量絕緣層和半導體的介面情況,半導體成膜的情況。(C-V下半部分的圖不會看,求教)

根據C-F測定下半部分的圖,依據何時出現峰值fpeak點,通過計算,可以得知縱向access阻值的大小,以此來推斷縱向膜厚。(C-F上半部的圖不會看)

2樓:Harbing Lou

CV 和CF實際上都在反應器件內各種電荷的反應速度。對於半導體內的載流子而言,反應速度一般比較快,因此高頻和低頻的電容基本相同。但通常缺陷位產生的電荷響應速度比較慢,所以在高低頻對比的時候就看到電容的差別, 這個差別可以用來計算缺陷位的密度,能量大小等等資訊。

因此CV 和CF是檢測乙個器件非常重要的表徵手段。配合一些理論模擬,可以獲得大量重要資訊。

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