1樓：愛笑的小淵
本徵半導體中，導帶中的電子濃度值等於價帶中的空穴濃度值。本徵半導體中的電子濃度和空穴濃度分別表示為ni，pi。通常稱他們是本徵電子濃度和本徵空穴濃度。
因為ni＝pi，所以通常簡單地用ni表示本徵載流子濃度。計算公式如下：
ni＝NcNvexp［－Eg/kT］
查表得Nc＝2.8*10∧19㎝-3
Nv＝1.04*10∧19㎝-3
Eg＝1.12eV
k＝8.62*10∧-5eV/K
帶入可得
ni≈6.7*10∧9㎝-3
但是當T＝300K時，矽的ni公認值約為1.5*10∧10㎝-3。這一差異可能來自以下原因：
首先，有效質量值是低溫下進行的迴旋共振實驗測定的。既然有效質量為實驗測定值，而且它是粒子在晶體中運動情況的度量，那麼這個引數就可能和溫度有關。其次，半導體的狀態密度函式是由三維無限深勢阱中的電子模型推廣出來的。
這個理論函式也可能與實驗結果不太吻合。
在300K情況下其他材料的公認值
Sini＝1.5*10∧10㎝-3
GaAs ni＝1.8*10∧6㎝-3Geni＝2.4*10∧13㎝-3
對於平衡態的半導體，電子濃度 空穴濃度 載流子濃度的平方。請問此時載流子濃度怎麼測量？
神秘博士DoctorWu 有必要澄清半導體知識的 空穴 是價帶的，而自由電子是導帶的。半導體知識的 空穴 的移動，能夠被拆分成三段過程。1 價帶的電子上公升到導帶留下了價帶的空穴。2 導帶的電子受電場驅使移動一定距離。3 導帶的電子回到價帶，復合另乙個已存在的空穴。三段過程敘述了 空穴 看起來在價帶...
N型半導體中自由電子是多數載流子，為什麼整個晶體不帶電，而不是帶負電？
逃避並不可恥 我覺得你可能只是從字面意思理解了n type 和p type doped的含義 摻雜的半導體依然是電中性無誤，只不過是負責產生電流的載流子不同而已，並不是意味著，在外界條件作用下，某種載流子就多了，某種就少了，電荷不平衡了 乙個蘿蔔乙個坑唄 shuqing pan 同意伊叔的回答。看來...
超威半導體（AMD）和英特爾（Intel）在電腦上用起來有什麼不同之處？
說一下個人情況 台式 AMD 筆記本 Intel 比如玩遊戲時出現問題，上網查詢 台式 AMD玩絕地求生閃退怎麼解決？筆記本 絕地求生閃退怎麼解決？ Harute 1.對於普通人來說，沒什麼區別。因為普通人不會同時有配置一樣的兩個平台的電腦 其次做為乙個臭打遊戲的，更新換代一般都會有明顯提公升，至於...