半導體的費公尺能級如何確定？

1樓：楊學神

半導體裡面是有費公尺能級的概念的，就是在零K的時候被電子完全佔據那個能量就是費公尺能級。

本徵半導體的費公尺能級可以認為是在禁帶中心，實際上會根據溫度的高低，費公尺能級會偏一點點，但是並不多。

半導體的費公尺能級是可以通過摻雜等手段來調整的，例如擴散或者離子注入。費公尺能級與摻雜濃度的關係在一般的室溫下都認為是完全電離的，所以遵守費公尺狄拉克函式關係（非簡併半導體可以近似認為是玻爾茲曼函式關係）

一些簡併半導體（高摻雜的半導體）的費公尺能級可以接近或者越過價帶頂或者導帶底。

2樓：費解HK

在不是絕對零度的情況，半導體的費公尺能級，相當於「平均人次」，對於自家而言，「人」與「位子」的數量都是既定的，一人走，一位空，而「位子」只有導帶及價帶兩排，所以，「人」坐到任何一排的機率是均等的，而兩排位子的上坐率也是相等的，

本徵半導體，N化後就有自由電子，而P化了則有可供底物的價帶電子走動的空檔，

自由的電子就是在導帶，有自由電子就是電子公升上導帶的機率增加，故N化半導體的費公尺能級靠近導帶；P化半導體缺少電子，其空檔可供價帶的電子借道流動，在價帶就是空穴的流動，故費公尺能級就靠近價帶。

3樓：蘭姆

不能取到價帶頂，因為現實中的材料帶隙中是有雜質（局域的）能級的。這是零溫極限的情況。

有限溫度下就更好理解了，不同費公尺能的熱激發完全不同。算一算導帶特定能級的佔據數就能看出來。