如果在純淨半導體材料中,摻入大量雜質,其導電性能怎麼樣?

時間 2021-06-06 17:45:13

1樓:Keen.Z

導電性能em...

怎麼說呢,首先你不能認為導電性能只和載流子的濃度有關,還有乙個關鍵的引數叫載流子遷移率,也就是這個載流子跑起來跑的快不快,跑的快不快首先就是這個載流子輕不輕,輕的跑的快這個由材料本身決定這裡不表;另乙個決定載流子跑的快不快的就是這個材料裡邊缺陷對它的散射頻繁不頻繁,在這裡,摻入大量的雜質會顯著的提高材料內的缺陷密度,所以這個是你第乙個要權衡的因素。

再乙個,摻雜的雜質濃度與其能提供的載流子濃度並不是乙個線性正相關的關係,並不是摻的越多能激發的載流子就越多。由於雜質原子進入原材料的位置,成鍵不同,這之間還涉及深能級啟用,還有一些雜質原子團簇化的複雜情況,很多時候是過尤不及的。

2樓:老夏

樓上的答案非常好,我試著再補充一些,你的意思是在大量雜誌,在半導體中,理想半導體也可以叫本徵半導體中加入大量雜誌,雜誌也是分型別,N型和P型雜誌,還有中性雜誌和其他雜質,比如說Ⅲ,Ⅴ族化合物,在某些雜誌中參入Ⅳ族雜質的也有,形成激子的發光現象,比如氧化鋅等,還有在半導體中加入金的,構成不同的深和淺能級,如果說大量雜質分什麼程度,要是雜質濃度大於本徵半導體載流子濃度就是重摻雜,費公尺能級就進入導帶或者價帶,具體情形較為複雜,詳情參考《半導體物理》。

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