1樓：heky
題主的問題可以拆解為如下理解過程：
半導體Si是一種材料，通過摻雜可以形成一種叫做MOS的基本元器件，這是一種有條件的開關元器件，可以理解為乙個電閘，在閘刀上加電壓可以控制電閘的斷開與導通，從而控制是否允許電流通過。
不同的摻雜的元素可以行成兩種MOS，NMOS和PMOS，NMOS在電閘上加高電壓導通低電壓斷開，另一種正好相反，PMOS電閘上加低電壓導通高電壓斷開。
NMOS和PMOS組合形成乙個反向器，如下圖，T2為PMOS，T1為NMOS，Udd是高電壓，比如5V，圖的最下端接地為0V。Ui為輸入端，控制NMOS和PMOS的電閘。Uo為輸出端。
在Ui加高電壓5V，PMOS斷開，NMOS導通，所以Uo直接與地連通，輸出0V。
反之，在Ui加低電壓0V，NMOS斷開，PMOS導通，所以Uo直接與Udd連通，輸出5V。
所以，這個電路可以完成低進高出，高進低出，形成乙個「非門」的邏輯運算。其他的與非門，或非門也是類似的原理。
所以電路是用靜態的電平高低來表示0或1來進行邏輯運算。
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