1樓：
對積體電路而言, 降低成本，能在單晶元上整合愈來愈多的電路元器件和功能，具有越來越小的功耗和體積等成為發展趨勢。2023年，戈登摩爾(Gordon
Moore) 整理分析了2023年到2023年間先後發布的五組晶元產品的各項資料之後，發現每個新晶元包含的容量大體上是前乙個晶元的兩倍，且其產生時間大都滯後18-24個月內。如果按這個趨勢繼續發展，計算能力隨著時間週期將呈指數上公升，被人們稱為摩爾定律(Moore Law)。2023年，Gordon Moore對自己之前提出的「Moore
Law」做了一次修正，明確指出晶元上整合電晶體數量將每兩年翻一倍。至今，積體電路的發展實際上是在摩爾定律的指引下迅速發展。
由上所述，摩爾定律只是乙個階段統計，具有一定的主觀性，個人認為可能被打破。晶元的更新速度也許更快，也許更慢！
2樓：torbai
依照我模糊不清的記憶，用GaAs做數字邏輯是80年代的計畫。重提這個是要返祖麼？
GaAs的載流子遷移率是高，後來的二維電子氣的遷移率更高，但是依然缺少成熟的互補P型管。80年代的時候由於擴散速率不一致的原因，Si的MOSFET也沒有對稱互補的NFET和PFET。後來的離子注入技術克服了這個困難，使得NFET和PFET能夠互補（CMOS的名稱是啥？
）。GaAs邏輯的計畫就破滅了唄。
現在要是重提GaAs邏輯，PFET怎麼辦？還有什麼晶圓的成本啦，散熱啦，晶圓易碎啦，工藝複雜啦，成品率低啦。。。。一大堆事兒
3樓：
其實題主的意思是砷化鎵屬於直接帶隙，發光效率高，結合現在成熟的固態電子技術可以實現光電混合積體電路。
另外，把III-V族材料整合在矽基板上叫做異質整合，目的是實現跨節點效能。比如12年美國，把250nm InP DHBT器件整合在90nm Si CMOS上做出的TI-SAR ADC效能達到了32nm 純Si CMOS SOI工藝下同架構ADC效能，這就實現了跨節點的效果，但由於材料存在物理極限，延長摩爾定律我看懸。還得用光才行。:)
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