1樓：
28nm技術代，HPM功耗，效能都是優於LP.LP不算真正的low power工藝，HPC算是便宜，低功耗一點的工藝。LP只是poly sion技術很便宜，成本低，設計公司經費入門門檻相對低一點。
16/14節點本身功耗已經實現質變，漏電功耗可以控制在動態功耗的1/7佔比左右，沒必要保留LP這個雞肋的工藝，本身FinFET功耗控制就很好了。台積電相應的HPC變成了FFC。
三星的技術代更新與台積電有些差異，一般每到新工藝節點，先出LPE. low power early(可以理解為新工藝早期版)，後續良率提公升，工藝優化後的版本叫LPP. low power plus，相同效能或者提頻率情況下，功耗還能比上一代稍微降低一些。
FinFET工藝自打14/15年量產，首先自身體質的領先特性，已經保障了low power的首個指標，同時並不意味著效能的折扣，是高效能下的low power了。
2樓：albert hu
其實28nm時代分不同工藝一定程度上是無奈之舉。當時高效能工藝遇到瓶頸，Hkmg技術不成熟且成本高昂，沿用以前的多晶矽柵極工藝成本低，開發快，雖然效能乏善可陳，先湊合著用。低效能當然對功耗控制有利，所以叫Lp，其實理解為「low price」可能更合理。
hkmg和hkmg之間也有區別，不僅僅是工藝引數不同，甚至關鍵材料和生產工序都有區別。雖然可能號稱相同的線寬，實際上確實可以認為是不同的工藝，成本/效能/漏電都不一樣。所以一時間「百花齊放」。
但是繼續發展選擇反而變窄，hkmg，finfet等技術都變成必須，更小線寬的工藝其實基本都是28nm下hp工藝的延續。不過相比28nm高效能工藝，這些更小線寬的工藝效能提公升越來越小--實際上關鍵效能指標比如idsat飽和漏極電流可能不公升反降，只是因為更小的電晶體驅動電流要求也降低，所以綜合還是能少許提高效能。當然繼續叫高效能工藝就有些不合適了，幸虧現在客戶更關注功耗，以降低功耗作為線寬公升級的賣點比較能讓客戶接受。
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