等離子刻蝕機中的「source power」以及「bias power」與刻蝕的關係是?

時間 2021-05-29 23:54:36

1樓:FA農民工

Source Power,源功率,加在上電極Bias Power,偏置功率,加下電極,即矽片側通過控制Bias Power,即偏置功率,可以增強等離子體的方向性,改變刻蝕過程中的深度,側牆角度負載效應;

此外還與腔體的壓力有互動作用;

刻蝕是乙個複雜的過程,除了源功率&偏置功率,使用的氣體比例,腔室的壓力,刻蝕物件的表面形貌都會同時對結果造成影響

具體可以看 Pulsed plasma etching for semiconductor manufacturing

2樓:李想

source power也叫antenna power,指等離子源的功率,粗略理解就是腔體內產生更多的等離子體,如果刻蝕是rie,化學刻蝕的話是會加大刻蝕速率的;

bias power是襯底偏壓的大小,這個功率越大等離子體會更快地轟擊待刻材料的表面,對於ibe,物理刻蝕的速率有較大提公升。

總之,提高這兩個功率對刻蝕速率都會有所提高,只是針對不同刻蝕方法提高的程度不同。

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