1樓：團九
解釋這個問題，先要弄清楚3D NAND Flash是什麼。
首先，flash大家都知道，就是快閃儲存器卡。而快閃儲存器的基本「單元」有NAND結構和NOR結構兩種，這是兩種不同的儲存實現形式。而3D則是三維的意思，相對於普通的flash(2D)，3D採用堆疊的方式使儲存量變大，2D只是一層儲存。
可以簡單理解，3D就是多層。
而3D XPoint，是一種實現儲存的技術和方式，它屬於3D flash的範疇內，但究竟是NAND 還是 NOR或者又是其他的新的具體實現方式，則就不好揣測了。
2樓：位元組君
雖然3D XPoint和3D NAND兩項技術名字都是3D打頭，並且兩項技術都是由美光科技和英特爾共同研發，但實際上二者有著根本性的不同。相比3D NAND，3D XPoint迄今仍像是一座冰山，公眾所知仍然非常有限，從已揭開的冰山一角來看，3D XPoint是自1989 年NAND快閃儲存器推出至今的首款基於全新技術的非易失性儲存器，集NAND類似的容量和DRAM類似的效能於一身，可說是開創了一種全新的儲存類別。該技術集當今市場中所有儲存器技術在效能、密度、功耗、非易失性和成本方面的優勢於一體，開創了一種可顯著降低延遲的新型非易失性儲存器，使得在靠近處理器的位置儲存更多資料成為可能，並以此前的非易失性儲存無法達到的速度來訪問更多資料。
與NAND相比，這項技術在速度及耐用性方面均實現了高達1000倍的提公升。除了相比NAND而言超出1000倍的速度和超出1000倍的耐用性，由於採用了獨特的複合材料和一種面向儲存器技術的交叉點架構，相比傳統儲存器，3D XPoint技術的儲存密度也提公升了高達10倍，能夠以較低成本滿足使用者在非易失性、高效能、高耐用性和高容量方面對儲存與記憶體的需求。
而3D NAND仍然屬於NAND的範疇，但相對於平面NAND而言，該技術有了工藝上的革命性提公升。突破平面NAND的發展瓶頸，3D NAND以卓越的精度垂直堆疊了多層資料儲存單元，同由與之競爭的NAND技術所打造出的裝置容量相比，由3D NAND技術製成的裝置容量高三倍。而且，由於容量可通過垂直堆疊單元來獲得，單個單元的尺寸就能變得相當大——這還將有望提公升效能和可靠性。
同時，該技術還能帶來相比平面結構的NAND更高的成本效益。
3樓：Min Xu
NAND是利用浮柵電晶體作為基本元件的，電荷是儲存物理量。Xpoint應該是用的相變材料或者阻變材料(一些氧化物有這些特性)，兩種材料都有可程式設計和非易失的特性，利用電導率作為儲存物理量。
有猜測Xpoint是crossbar結構的PCM而不是RRAM。兩家已經合作在PCM上攻堅多年了，之前Micron也一度接近推出產品化的PCM，後來似乎是reliability的問題撤回了。RRAM目前工業界學術界都還處於探索階段，兩家應該不敢貿然強行出產品，一旦出產品，也應該是DRAM層級而不是NAND。
4樓：
美光戰略上把這個劃分為storage class memory，感覺主要是用來替代NAND，有可能後續這儲存器直接跟SRAM連，把DRAM/NAND都取代掉
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