1樓：Jeffrey9130
一般來說0.4 eV以下的都可以叫窄禁帶，有時候0.7 eV以下的也會被叫做窄禁帶。
典型的例子有：PbS (~0.3 eV), InAs(~0.35 eV), InN(~0.7eV) [非典型]
正如題主已經知道的，金屬和半導體的本質區別在於其能帶結構。一般我們可以說零帶隙的就是金屬，否則就是非金屬。但是實際情況下，我們更關注材料的實驗指標，即電導率；相對應的，我們關注材料導帶底的有效載流子濃度，而不僅僅是帶隙。
舉個例子，室溫對應的熱能為0.026 eV，如果材料的帶隙只有0.05 eV (不為零），且其帶低附近的態密度足夠大，或許它可以擁有足夠多的載流子而表現出「金屬態」，即好的導電性。
參考常見典型金屬的導電率，一般1e6~1e7西格瑪的導電率我們就會說是非常好的「金屬態」。P.S.
未參雜的矽導電率只有大概1e-3左右，是典型的「絕緣態」，比碳單質低（不是石墨）。
在上面的例子裡，溫度，帶隙，帶低附近的態密度都是影響因素，缺一不可。
2樓：「已登出」
理論上說應該有可能存在禁帶寬度為0的半導體？只要導帶底和價帶頂對應相同的能量，但是k不正對就可能吧，實際上存不存在不知道，不是做這個方向的...
為什麼同族的半導體，原子序數越小禁帶寬度越大？
王璟 其實這個問題並不一定非得從固體物理的角度考慮 定性來說可以直接考慮GaAs GaP GaN 三個分子的HOMO和LUMO HOMO和LUMO之間的gap寬度與他們形成無限材料的禁帶寬度是正相關的 如果只考慮分子共價鍵的時候，問題就變得簡化了 無非考慮 1.鍵型或者說重疊積分 可以認為是共價部分...
禁帶和電阻率的關係有些什麼？
宮非 2020 06 09 半導體的電阻率決定於載流子濃度與遷移率，且與雜質濃度和溫度有關。其中，電阻率可確定所含雜質的濃度，材料越純 電阻率越高 但不適合高度補償的材料 另外，電阻率隨溫度而變化，AB 段時溫度很低，本徵激發可忽略，載流子主要由雜質電離提供，它隨溫度公升高而增加 散射主要是由 電離...
為什麼說直接帶隙半導體更適用於做光電器件？
電競吳彥祖 既然有直接帶隙半導體，那麼肯定就用間接帶隙半導體。兩個放在一塊來說吧。簡單來說，就是看K空間的能帶圖，導帶低和價帶頂在同一K處，說明是直接帶隙半導體，不在同一K處，就是間接帶隙半導體。而光電器件的話也可以分為兩種，光致發電和電致發光。先說光致發電吧，那就是半導體吸收光子，當能量大於等於同...