1樓：宮非
2020-06-09
半導體的電阻率決定於載流子濃度與遷移率，且與雜質濃度和溫度有關。其中，電阻率可確定所含雜質的濃度，材料越純、電阻率越高（但不適合高度補償的材料）。另外，電阻率隨溫度而變化，AB 段時溫度很低，本徵激發可忽略，載流子主要由雜質電離提供，它隨溫度公升高而增加；散射主要是由「電離雜質」決定，遷移率也隨溫度公升高而增大。
所以，電阻率隨溫度公升高而下降。
BC 段時溫度繼續公升高，雜質全部電離，本徵激發還不十分顯著，載流子基本上不隨溫度變化，晶格振動散射上公升為主要矛盾，遷移率隨溫度公升高而降低。所以，電阻率隨溫度公升高而增大。C 段時溫度繼續公升高，本徵激發很快增加，大量本徵載流子的產生超過遷移率減小對電阻率的影響，雜質半導體的電阻率將隨溫度的公升高而急劇地下降，表現出本徵半導體相似的特徵。
電子能級圖。
電阻率與材料性質有關，禁帶寬度越大，同一溫度下的本徵載流子濃度就越低，進入本徵導電的溫度也越高。現在第三代半導體材料的禁帶寬度大於2eV，這類材料主要包括碳化矽（SiC）、立方氮化硼（C-BN）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、硒化鋅（ZnSe）以及金剛石等。
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