1樓：王璟
其實這個問題並不一定非得從固體物理的角度考慮
定性來說可以直接考慮GaAs GaP GaN
三個分子的HOMO和LUMO
HOMO和LUMO之間的gap寬度與他們形成無限材料的禁帶寬度是正相關的
如果只考慮分子共價鍵的時候，問題就變得簡化了
無非考慮
1.鍵型或者說重疊積分（可以認為是共價部分）以及庫倫積分以及共振積分（離子部分）對分子軌道相互作用貢獻的大小
2.原本軌道的能量
也即將高能量的As換成低能量的N，P
其總體能量下降而HOMO軌道下降得更明顯，因為HOMO軌道在As, P , N這邊係數更大，也就是它們更像負價部分
而LUMO的提高不明顯，因為LUMO軌道更像提供電子的Ga原子原本的高能軌道
2樓：鄭重
高中化學同族元素，原子序數越大半徑越大，原子越活潑。因為禁帶寬度代表的是躍遷能力，我覺得越活潑躍遷能力越強，完成躍遷所需能量越少，所以原子序數越大，禁帶寬度越小。
3樓：「已登出」
樓上不少人都說了挺多，講得也比較細，我就作點簡單的回答吧。先指出一點：題主問的是乙個定性的問題，因此我們能夠給出定性或者半定量的解釋就已足夠好。
從公式出發的話，解一維簡併微擾薛丁格方程的時候，能隙寬度就是布里淵區邊界勢能的兩倍。在緊束縛近似中能隙寬度則正比於某個重疊積分，而重疊積分代表了某個能量。
於是可以推測，禁帶寬度與晶體的某個能量有關。為此先作一簡單思考。
兩個氫原子形成氫分子的過程是能量降低的過程，同時它還有另乙個可取狀態即所謂的反鍵態，反鍵與成鍵的能量差就是氫分子體系中相應的禁帶寬度。
那麼這個能量差和什麼有關呢？顯然和氫原子的結合能有著正相關的關係。
固體物理中，分立能級成了能帶，但是大趨勢還是不變，該正相關的還是正相關。因此定性來看，頻寬應該和價電子的結合能有著緊密關係，這差不多也就是晶體勢能的概念。
那為什麼原子序數越小結合能越大？我覺得這個可以從有效電荷來定性考慮。對於同族的半導體元素，由於內層電子的遮蔽，價電子感受到的有效正電荷並沒有增加太多，但原子半徑肯定增大了不少，因此結合能就會比較顯著地減小。
4樓：
粗略定性的答一下
導帶是什麼？一大堆成鍵軌道。空帶是什麼？一大堆反鍵軌道。禁帶是什麼？就是成鍵軌道和反鍵軌道中間的空隙。
成鍵軌道和反鍵軌道之間的空隙，由什麼決定？很容易可以看出，成鍵軌道反鍵軌道之間空隙越大，成鍵作用越強。那反過來就是，同型別的晶體，成鍵作用越強，軌道空隙越大，禁帶越寬。
那什麼型別的原子容易形成更強的相互作用呢？小的。
大概就這樣。寫的不很完善，也可能有bug。
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