1樓：二氧化矽
其實都是電流的熱效應啊，沒電流不會輕易壞的。
嗯，積體電路燒壞主要指的是熱擊穿，簡單來說，他就是晶元產熱超過閾值以後熱量積累不能及時散熱，然後越熱電流越大，電流越大然後又越熱，最後晶元內部的連線什麼的都燒壞了（短路或者斷路），晶元就燒毀了。這時其實本來就是內部產生的熱量，加上正反饋電流很大，所以應該要比焊接時矽片的溫度高的多。而且現在很多晶元封裝的時候都是把矽片放在金屬支架上的，而且焊盤跟晶元只是金屬線相連，並沒有直接接觸，所以感覺雖然焊接時溫度很高，但其實很多熱量都散失了，對晶元內部影響不大。
如果單把晶元加熱到300℃，然後通上電。。。。相信晶元也是會壞的
2樓：龔黎明
晶元在不工作的時候是不害怕瞬時高溫的。晶元內部是矽和金屬，這些都是物理熔點很高的材料，只要不損壞晶元內部材料，短時間溫度高一些沒有問題。就算壞，最先壞的一般也是塑料殼子的封裝。
但是晶元一旦通電，就進入工作模式。會有穩定的熱源和穩定的散熱速度。當我們說晶元溫度範圍是0~70度時，是說晶元在70度的情況下，可以穩定並長時間工作，因為此時散熱還跟得上。
如果溫度到達80度，那麼散熱就跟不上了，時間一久溫度就會持續公升高，最終對晶元造成物理損壞。總之，損壞晶元是乙個需要時間積累的過程。
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