1樓：平成十一年的渚薰
極限是良品率
我們可以認為，對於相同工藝的產品，壞點密度與元器件密度成正比。
這樣的話，越大的高密度器件良品率越低。這也可以解釋，為什麼a7IIr和a9那麼貴了
2樓：李世培
資料說話，5DSR 做不到全畫素40dB輸出。也就是說，對畫質有要求的話，即便有100MP也只能縮圖。
3樓：夢羽靈泉
實際上在1/2.3也能做到2000w畫素的現在，這個指標本身並不高
大幅面高畫素cmos商用化的問題是良品率和輸出資料的效率以及與市場主流其他產品的配合
總的來說如果市場比較小，出貨不能攤平研發與良品率沉沒成本，那麼這塊cmos就難以市場化，而在主流高畫素已經達到4000w-5000w的高畫素全幅市場，如果出一台基礎解析度只是1.4X（2的平方根）的產品，本身並沒有什麼技術障礙，需要同時被提公升的是相機和整個系統其他方面的效能和功能以適應更高畫素的發展水平，比如更穩定的防抖系統——包括更優秀兼顧的周邊支撐，和更具有使用意義的高效率機內防抖，比如更高速度的資料採集和後端電路
如果我個人判斷的話，以億畫素計的純粹的高畫素機，雖然不看動態效能，但是作為實際應用場景可用且高效的機身，是沒有根本上的技術難點的，能容忍稍微慢一點，提公升一半畫素並不會增加更多的研發難度，同時製程的進步也可以拓展高畫素機身其他方面的限制
至於極限在哪，比cmos製程高不少的民用桌面CPU都還不是很清楚，全幅cmos這種不急著追製程的東西，極限早著呢
現在的相機更重要的是功能性上要跟得上高畫素的需求，綜合指標上去了才是平衡的好相機，一味飆畫素，不知道的以為全幅瘋了呢
如果採用RYYB技術的CMOS來製造全幅單反，會有怎樣的表現？
天高皇帝遠 索尼早在F65攝影機上就設計過奇奇怪怪的感測器，Q67對於S35這樣尺寸的感測器q67的排列可以到8k的解析度，在那個年代是不可想象的 但是後來呢？F55賣了7年經久不衰，F65早早退出市場壓根就沒賣過同樣的尼康也做過其他顏色的濾鏡，到最後不還是老老實實RGB了哪怕是XTRANS，也是R...
為什麼電流鏡結構的 cmos 電路所在支路電流一樣，而不管電流輸出負載？
大凱 前面幾個回答都挺好的。我想就怎樣學習來說兩句。首先不要太在乎什麼所謂映象，共源共柵，共什麼什麼的說法，那只是給講解起個名字。模擬積體電路工程師所把玩的物件是mos管，你把一堆mos管搭到一起，你需要對mos管本身的特徵曲線非常清楚，電流對兩個電壓的曲線是一切分析的基石。分析乙個電路的工作點，就...
為什麼早期的相機cmos是FSI（前照式）？
Lychee Li 主要還是成本和技術原因，以及早期對這個的需求並不高。OmniVision 在介紹 BSI 技術的文件中提到，當畫素尺寸足夠大的時候，BSI 和 FSI 的差別並不是很大，只有很少一部分光線會被阻擋，只有當畫素尺寸縮小到一定程度以後，FSI 前面的電路才會起到比較大的影響，因為這個...