1樓：大凱
前面幾個回答都挺好的。我想就怎樣學習來說兩句。首先不要太在乎什麼所謂映象，共源共柵，共什麼什麼的說法，那只是給講解起個名字。
模擬積體電路工程師所把玩的物件是mos管，你把一堆mos管搭到一起，你需要對mos管本身的特徵曲線非常清楚，電流對兩個電壓的曲線是一切分析的基石。分析乙個電路的工作點，就是要把每個管子處於那兩條線上的哪個點給求個解。所以別看映象就以為電流相等，那只能給你提供乙個思考的初始值，想清楚每個管子，才有正確解。
2樓：
你的分析建立在一級模型的基礎上。不知道你的模電教材有沒有講mos的特性，常見的模擬電路書籍如拉扎維的書，第一部分都是要講溝道長度效應，即使在飽和區，源漏電壓也是影響電流的。即使不考慮溝道調製，電流小的那個管子會進入線性區
3樓：然也
同一支路電流一定相等。如果nmos 在vgs產生的電流比pmos提供的大，會使漏極電壓下降。過大的vgs會使nmos進入線性區，但電流還是一樣大。
反之，漏極電壓上公升，可能使pmos進入線性區。
這也是為什麼有源負載放大器需要共模反饋來使上下管子電流在管子都飽和的情況下盡量一致的原因。
不知道我理解對你的問題沒有。
4樓：
電流鏡同樣的有負載效應，它可以驅動的只是遠小於它輸出阻抗的負載。
dc上可以用mos電流不對vds敏感解釋。
從全頻率角度而言，本質上還是電流鏡輸出阻抗遠大於負載時才成立。
所以電流鏡還是看負載的。只不過dc輸出阻抗很大而已。
5樓：tang
這前提是你PMOS在saturation裡面，所以他的電流對vds變化不敏感，你下面NMOS再怎麼弄，只要保證我PMOS的vsd不要小於一定值就好，其實相同的，你下面NMOS也工作在saturation的話，那他們相連的節點無論電壓怎麼變，對NMOS能sink的電流影響也不大，當然前提是NMOS的G電壓正好可以提供PMOS提供的電流，不然直接乙個inverter到rail了就。你不明白可以下個LTSPICE自己搭乙個current mirror看看。
還有大神這些詞別亂用，擔當不起。
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