1樓：翟羽健
對ic designer來說，大部分時候都是沒什麼區別的，畢竟layout上都一模一樣，除了有時候做esd用的sab管外。
2樓：CMS
問問MOS管的源極和漏極有什麼區別
最佳答案
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。T僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，或驅動比晶元電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散乙個高雜質濃度的P型區（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區併聯在一起，引出乙個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出乙個電極。
2、漏極：將兩個P區的引出線連在一起作為乙個電極，稱為柵極，在N型矽片兩端各引出乙個電極。
搜狗問問
3樓：
源極和漏極的差異等你學過半導體技術就知道了。
如何分辨比較簡單，找乙個萬用表，二極體測量檔位，直接測量即可。測量原理是場效電晶體漏源極之間有寄生二極體。
4樓：rundstedt
對於JFET和耗盡型MOSFET來說，源漏極可以隨意互換，感興趣的話可以測下兩種接法的跨導有什麼差異，反正我不在乎。絕大多數市面上的增強型MOSFET都是VMOS工藝，自帶工藝造成的體二極體，接反了源漏極就變了二極體了。
大多數應用圖紙中，因為存在體二極體VMOS不能接反，但是也有就是要反著用的。比如同步BUCK電源，把續流二極體換成N-MOSFET，如果同步訊號跟不上體二極體導通做續流二極體來用，同步訊號來了，電流從源極流向漏極，跟絕大多數應用中電流方向是相反的，但是這種情況下，管子還是正常導通的，就是利用Rds(on)很小的特徵來實現比續流二極體的接法效率更高。
如何分析場效電晶體的構造？
學思有限，看結型場效電晶體的時候，突然腦洞。以下為正文 僅針對N溝道有效 這副圖，不夠形象。於是我畫了另一幅圖 我們把管子看做一輛車，Vds為司機熟練度，id為上下車流量，VGD前門，大小為前門寬度，同理，VGS為後門。VGSoff為前門閉合的時候對應前門減少的寬度，也就是前門原本的寬度，我們稱為 ...
能簡述下三極體和場效電晶體的異同嗎，謝謝啦？
浮世之繪 三極體，電流控制導通 場效電晶體，分為JFET和MOSFET，電壓控制導通三極體用做放大或開關 場效電晶體常用來做高頻開關，頻率可達500khz 陳大明 看圖理解 圖自行查詢到處都是。雙極型三極體，沒有基極電壓時，集電區與基區內形成阻擋層，阻擋層隨外界電壓變大而變大，電流維持非常小。基區參...
如何理解二極體電容效應中的擴散電容？
已登出 二極體具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。1.勢壘電容CB Cr 前面已經講過，PN結內缺少導電的載流子，其電導率很低，相當於介質 而PN結兩側的P區 N區的電導率高，相當於金屬導體。從這一結構來看，PN結等效於乙個電容器。事實上，當PN結兩端加正向電壓時，PN結變窄，結中...