1樓：
學思有限，看結型場效電晶體的時候，突然腦洞。以下為正文（僅針對N溝道有效）
這副圖，不夠形象。於是我畫了另一幅圖
我們把管子看做一輛車，Vds為司機熟練度，id為上下車流量，VGD前門，大小為前門寬度，同理，VGS為後門。VGSoff為前門閉合的時候對應前門減少的寬度，也就是前門原本的寬度，我們稱為
1. 當Vds為零，也就是司機熟練度為0，相當於，沒有司機，那麼誰會坐你的車呢？所以，id約等於0，意味著有部分憨憨電子還是上車了。
VGS越小，後門寬度越小，勾道電阻越大，就像車的後門越小，下車的電子受到的阻力越大。
2. 當VGD還沒到關門電壓的時候，前門沒關。司機熟練度VDS大於0，且越大，id越大，正所謂「老司機帶帶我」。
但同時，熟練度越大的司機越想關門，就像做專案的時候，總有人划水，你覺得不如不要這些人。但前門他不好弄，於是他就管後門，這樣就是後門VGS決定id大小，VGS越小，後門越小，id也就越小。同時，上車的電子會先坐在前排，所以靠近D漏極的那端，溝道變窄。
3. VDS達到關門電壓VGSoff，前門關閉。這個時候，上下車流量確定，也就是id確定。不再改變。
下圖可做影象處理
可變電阻區就是前門沒關，
恆流區就是前門關了
至於夾斷區，就是前門關門後，還往下趕電子
嗯，目前就是這樣。有空再更
2樓：半島鐵盒的鐵
FET有很多種：
1.按結構分為結型和絕緣柵型
結型（JFET）是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小；絕緣柵型（MOSFET）則是利用柵源電壓的大小，來改變半導體表面感生電荷的多
少，從而控制漏極電流的大小。
2.按導電溝道分有N溝道和P溝道
N溝道主要靠電子導電，P溝道主要靠空穴導電。
3.按工作方式分有增強型和耗盡型
增強型管內無原始導電溝道，耗盡型管內有原始導電溝道。
下面以N溝道為例說明其構造：
首先上一幅彩圖看清FET的構成
下面用另兩張圖說明工作原理（以MOSFET為例）
N溝道耗盡型
這類場效電晶體在製造時預置了導電溝道，在二氧化矽中摻有大量正離子，當=0時，就能感應出反型層，形成N溝道，若加上漏源正電壓，就有電流產生。當<0時，感應負電荷減小，使減小；當>0時，感應負電荷增加，使增加。可見，它的柵源電壓可正可負；當電壓小於某一值(稱此值為夾斷電壓，用表示)時，使導電溝道中的載流子消耗殆盡，電流=0。
所以，預置了導電溝道的MOS管，稱為耗盡型MOS管。耗盡型FET的特點是：=0時，0，=，稱為飽和漏極電流。
可在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流，這是耗盡型MOSFET的乙個重要特點。
N溝道增強型
當=0時，源區、襯底和漏區形成兩個背靠背的PN結，此時=0，當達到某一值(稱此值為開啟電壓，用表示)時，柵極和襯底之間形成較強的電場，此電場吸引襯底中電子而形成乙個N型薄層，稱為反型層。反型層作為導電溝道把D和S連線在一起。若加上一定漏源正電壓，溝道中就有電流，由於這種場效電晶體依靠增強到一定值後才產生導電溝道，故稱為增強型MOSFET。
差不多就是這麼回事了，話說打公式下標真麻煩啊...
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翟羽健 對ic designer來說，大部分時候都是沒什麼區別的，畢竟layout上都一模一樣，除了有時候做esd用的sab管外。 CMS 問問MOS管的源極和漏極有什麼區別 最佳答案 一 指代不同 1 源極 簡稱場效電晶體。T僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。2 漏極 利...
能簡述下三極體和場效電晶體的異同嗎，謝謝啦？
浮世之繪 三極體，電流控制導通 場效電晶體，分為JFET和MOSFET，電壓控制導通三極體用做放大或開關 場效電晶體常用來做高頻開關，頻率可達500khz 陳大明 看圖理解 圖自行查詢到處都是。雙極型三極體，沒有基極電壓時，集電區與基區內形成阻擋層，阻擋層隨外界電壓變大而變大，電流維持非常小。基區參...
如何看待教育行業的劇場效應？
在水一方 第一是監管者的責任。當第乙個人站起來時就應及時制止，而不是睜隻眼閉隻眼，裝看不見！當秩序混亂失控時，應採取非常規手段，制止混亂，重整秩序！第二是學校決策者的責任。做出 站起來 這個決定的人往往是要追逐名利的人，想為自己撈取政治資本！卻打著 為了提高學生成績 的旗號，對學生 家長和教師進行 ...