1樓：Perplexboy
這是肖特基勢壘二極體 (Schottky Barrier Diode)，簡稱SBD。
普通的PN結二極體 (Diode)是由P型半導體跟N型半導體接觸構成的，而SBD則是由金屬和半導體接觸(P型或N型)構成的(理想情況下需要金屬的功函式大於N型半導體的功函式，或小於P型半導體的功函式。實際上由於表面態，摻雜等複雜因素的影響，需要仔細設計)。這說明PN結半導體二極體是少子器件，在關斷或正反偏置轉換的過程的半導體內會有少子抽取的過程，也就是有一定的恢復時間，而SBD本身只有一種載流子導電，沒有多子少子的概念(當然，如果將金屬和半導體中的同類載流子分別視為少子多子的話就是多子器件)，因此其恢復時間會短很多。
SBD的缺點是一般肖特基勢壘較小，因此其反向耐壓一般比較低，且反向漏電也比較大，不過這個特點同時也使SBD具有較低的死區電壓，也就是說它開啟比較容易，因此SBD適合用於低耐壓的高頻開關電路，同時由於其接觸結電容較小，在流過交流電時阻抗降低比較慢，所以還常用作箍位二極體。
圖中兩個SBD反向串聯，可能是用於穩壓(鉗位)或者過壓保護，具體什麼作用應該視電路而定。
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