1樓：gyroscope
3D快閃儲存器就是這樣的。只不過是豎起來的。
中間那根柱子是溝道，外面套絕緣層，然後是柵極。快閃儲存器單元就沿著柱子分布。
我想問現在有沒有商用的3D固態硬碟，3DU盤？
2樓：
您說的叫作Gate-All-Around，一般寫作GAA。提出了20多年了，據說英特爾的10nm工藝用的就是GAA的nanowire。題主你能想到這個，算很厲害了。
通過spacer就可以實現GAA結構，就是四面都是gate的結構。
就我的了解而言，第乙個提出GAA這個概念的，是著名的J.P Colinge教授。Colinge教授在三維元件的領域影響力非凡，貢獻巨大。
在他的IEDM'90，P.595中有較為詳細的說明。我在此處引用一些他的結論。
下圖是他製程中非常重要的一步。首先他在SOI上定義出了active region，再通過HF將silicon底下的氧化層泡掉，於是形成了乙個四面沒有接觸的silicon island區域。
在以上結構沉積上gate，就形成了完整的GAA結構，如下所示：
現在量產的memory產品，有的已經運用到了GAA的結構。只不過是它是豎直的立在wafer上而不是就像上圖那樣水平的。下圖皆來自於Toshiba IEDM 07 p.449。
上圖是memory中乙個nanowire的結構圖。中間的部分就是其body，外面一圈綠色的就是gate。是不是和題主所謂的「完美電晶體」的定義相符合呢？
如果要把它連成片，它就長這個樣子：
現在三星在西安的工廠就有生產類似的結構，好像做到了38層。是不是很厲害？SSD中似乎就是用這樣的結構吧。
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