1樓：蘇若祁
不能，cd bias 不穩定，很難管控，無法匯入量產，fab追求的是所有process盡可能穩定，實驗室和fab的對工藝的看重點不一樣，fab追求的是量產，沒有量產可行性的工藝會直接pass，除過dummy en這種lot
2樓：hope
想多了，你光刻只光刻一次嗎？
還有，你用什麼蝕刻，化學？良品率低到你哭，區域性反應速率不一致。
離子束乾法？刻完乙個晶元的時間，估計你連7nm光刻機都造完了。
你只做乙個電晶體，不計成本和良品率是可以，但是做晶元就別想了。
單做乙個電晶體，離子束蝕刻機就可以代替光刻，離子束蝕刻機可以輕鬆聚焦到1nm。
3樓：
先科普乙個半導體產業的原則：所有半導體晶元的製程必定是晶元設計師應用設計工具 EDA 所指定的規範，並經各種各樣的程式把關直到全過程通過，才能試線或上線。
因此，光刻製程本身就是一種多重配套製造流程，包括多重黃光和光膠，脫離以及再生過程等等，所以需要從晶元設計軟體EDA 中連貫成指定流程，包括光刻裝置對接對應的批核。
結論是：甭想太多！這不是兒戲。
晶元設計師實操上不太可能以14奈米或以上的光刻裝置全面產出7奈米線寬，即使所有光罩配套齊全，（非行業內人士很難理解光罩的作用）以 DUV 代用實驗製程也不能在晶元的電路位置做出7奈米的線路，更絕對不可能量產7奈米。
再補充一句：光刻製程和裝置的欠缺多是以訛傳訛，甭再多提了吧！
4樓：簡成
你的思路在業界是有的，就是shrink技術。不過你的這個14nm到7nm跨度太大，shrink也只是14nm到12nm這個級別才行得通。
目前掌握成熟的14nm和7nm工藝的是台積電和三星。Intel做了很多年14nm也沒轉到7nm（暫不考慮各家定義的製程節點），可以推斷在做Fin的時候，簡單的將Fin的厚度進行減薄來增加電晶體數量是不可行的，太薄的Fin猶如豎立的紙張，極容易倒塌、傾斜、搭橋，後別說後續的deposition process
當然了，正常人都應該知道你說的方法是不行的，至於具體是怎麼不行的，這也是商業機密。
光刻機是幹什麼用的
光刻機是晶元製造的核心裝置之一，按照用途可以分為好幾種 有用於生產晶元的光刻機 有用於封裝的光刻機 還有用於LED製造領域的投影光刻機。用於生產晶元的光刻機是中國在半導體裝置製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高階光刻機完全依賴進口。高階的投影式光刻機可分為步進投影和掃瞄投影光刻機兩種，解析度通常七奈...
光刻機歷史趣聞筆記（一）
ouik莎莎 為什麼要談戀愛呢？兩個人沒在一起的時候碰撞產生了火花那麼為什麼不試試呢 其實戀愛中很多時候是很美好的雖然兩個人在一起會有吵架 爭執但是只要是開心大於不開心的那這段感情終究是美好的值得珍惜的 回到正題上來戀愛的時候心裡一直都是掛念著的心裡不會空蕩蕩的會一直有乙個方向這是一種信念也是一種堅...
華為會研發光刻機嗎？
可能性是0.000000000000000000001.別鼓吹什麼有一線希望就爭取。這個希望還僅僅只是極度低端的光刻機。不是看不起華為，你是做技術的做交換機的而不是做光刻機的。ASML是集N多國家的尖端技術為一體，注意是尖端不是高階，美國有55 股份在裡面。所以ASML說了句呵呵很正常。所以，你華為...