1樓：何不隨風起
強答！本科時候我們老師上課講過，由於過於神采飛揚手舞足蹈我就一直記住了
他當時舉了個例子：光雕在材料上可能是這個樣子（不能再小了，衍射極限在那）：
讓我們男上加男！就成了這樣
如圖，由淺藍→深藍，這個精度就上去了
夠生動吧
2樓：jjjastronomy
CD=k1*lambda/NA
波長一定，可以增大NA。NA固定了，就減小k1，這個就是resolution enhancement technology了。手段很多，k1的理論極限是0.
25。另外，有些更細的並不是litho出來的，而是etch出來的。
3樓：LEOO
我們搞的時候是有一塊遮光板，然後光刻機的光通過這塊版後會被聚焦。這塊遮光板很大，大概10cm*10cm。 實際晶元只有1cm的方塊。
4樓：LucasYang
瀉藥！同意@賤賤前輩的回答，解析度就是由那麼乙個看似簡單的公式決定的……
稍微補充一點，目前的浸沒式光刻機都在追求折射率更高的浸沒液體，目前為止已經發現比水折射率還要高且透明度也達標的液體了，不過提公升效果不佳，關鍵還是水便宜啊！！！
5樓：Richy Junior
以前接觸過一點imaging的東西，說下自己的一點看法。
只要光學部分的理論是基於衍射理論，那麼必然會收到瑞利極限的限制。通過浸潤等可以打一點補丁，但這種方法沒有什麼可持續性，因為不一定能定期找到折射率更高的液體。
既然這樣的話，就需要其他原理的介入，要麼是演算法，比如之前很火（現在哈哈哈）的結構光（SIM），雖然不是lithography，但是它降低解析度的方法是運用了摩爾條紋的原理，本質上是利用了多次觀測的相位資訊，然而本身產生的強度pattern還是受到瑞麗極限的限制，所以對解析度的提公升也是有理論限制；或者之前有答主提到使用了某些材料的某些特性。總之光學方面的限制是這樣的。
所以最終的解決方案還是EUV。要麼建立一套不依賴於衍射理論的fab方法。
6樓：賤賤
線寬（linewidth)是光學專有名詞，
波長λ=193nm那線寬指的就是Δλ一般是幾個到幾十個波數（記不清了），
我知道題目的意思是，193nm這麼寬，怎麼能刻出45nm的寬度呢，
他說的是解析度，其他答主講了很多，我簡單看公式：
R，解析度，就是你常看見的180nm、130nm、90nm、65nm、45nm之類，
λ，光刻雷射的波長，已經從436nm、365nm、248nm到了現在最常用的193nm，
n，為介質折射率，空氣約1，水約1.44，
NA，為數值孔徑，和鏡子大小，以及距離有關，
k1，就當是個系統常數吧，把掩膜那些技術都算在這個裡面，
從公式算，當然就是k1越小、λ越小、n越大、NA越大，越能獲得小的R了，
現在的情況就是λ=193nm的時候，R可以做到45nm，現在好像22nm都出來了？不確定，
其他都好理解，就是那個k1裡面的各種技術很難，去看別的答主吧，有詳細科普。
以上看不懂的直接略過，因為我也不想看。
我對掩膜技術不感興趣，但是我對這個光刻光源還是了解一些，
光刻光源的發展以前是這樣設想的，
但是戰局瞬息萬變，
很正常的想法是先從193nm準分子雷射（ArF工作介質）發展到157nm準分子雷射（F2工作介質），
根據長期的使用經驗，我是完全不看好的，157簡直太辣雞，又嬌貴能量又低，完全沒有193nm皮實，這種真空紫外用起來很難受，實際上大家也都知道157很不皮實，可能真的沒人會看好過...
現在已經完全沒157什麼事情了，直接跨越了這個波長，
要麼自由電子雷射（FEL），要麼等離子體出13.5nm，
自由電子雷射很早就有人考慮過了，至少2023年Intel就有說，
當然現在由於國家大力發展FEL，這個概念肯定更熱，我不好說它不合適，畢竟FEL有它可調諧，波長可以非常短（X射線都行，只要加錢產生更高能的電子）的優勢。
我認為比較爽的還是用等離子體產生13.5nm的光，
簡單來說，就是用二氧化碳雷射器，打到靶材（錫，Sn）上，
等離子體當然是接近白光光譜很寬了，正好有個材料可以反射13.5nm，
為啥是13.5nm，也可以認為正好是這個反射的結果，
用圖簡單來說，就是這樣，Laer produced plasma（LPP）：
據我所知，應該已經做到500W了，
光源，始終是限制解析度最直觀的因素，
只有實在找不到更低的時候，才會去想辦法弄各種掩膜，
以至於現在掩膜技術都精進到我很難簡單科普出來了...
如果13.5nm普及，那真實碾壓了，
對了，國內現在各種想彎道超車幹過ASML，
古德拉克...
7樓：Moomo
補充一下其他答案沒提到的，共軛技術。即使是雷射，在傳播過程中也會有一定的發散，光學共軛技術就是利用一些非線性效應把這一過程的誤差變得最小。這樣光束就可以保證盡可能的細。
8樓：ruoxuan
非從業人員，物理系研究生
其實我看到這個問題第一反應是用EBL，也就是電子束刻蝕。電子的波長可以遠小於190nm，後來看見大家說用油鏡，感覺學到了乙個新方法。
9樓：
28nm及之前靠浸潤，移相掩膜，OPC等補丁續命。 之後到7nm靠暴力DP, QP續命。再之後以目前所見只能仰賴EUV。
這也是28nm工藝生命力之強的核心原因之一，single patterning良率易於控制。
10樓：Wenkan Photo
波長只是乙個因素，衍射極限裡面還有兩個引數，乙個是等效光圈，乙個是折射率。
所以有了沉浸式光刻，通過增加折射率來減小衍射極限。
當然光圈要做大也是很難的，想想拍照用的大光圈鏡頭都很貴……
11樓：Ylzat·Jines
不知道樓主有沒有學過傅利葉變換，乙個尖波可以有多個等相位差的余弦波合成。這是其一，不太方便繼續講下去。
另乙個就是大家講的類似油鏡的方式，增大材料折射率來減小波長，這樣可以把192／（3-4）半導體的折射率在3-4之間（1310）。實際上這種方式在192nm的光波段基本作用很小，因為這個波段，材料折射率應該在1-2之間。
12樓：周百會
c=f×λ，浸液體裡光速變成c/n，n是介質折射率，光頻率不變，那麼波長變小。
還有麼就是用電子的德布羅意波來刻，好像現在還不流行。
13樓：
瑞利判據是1.22λ/(2R)，想要高解析度，把口徑做大就可以了。
另外，既然知道會發生干涉，就可以利用掩膜去調製最後投影出來的圖樣，讓它變成需要的樣子。
14樓：有來有去
嗯？終於遇到跟專業相關的了。
題主可能對光刻機這種東西不了解。
推薦去看跟微電子有關的書，自己學過的是北京大學出版社的微電子學概論。
至於題主問的問題
積體電路工藝裡面，光刻不是用雷射直接在晶圓上雕刻，而是投影。
這一步之前需要在晶圓上塗光刻膠，然後在上面放到掩膜（我把它比喻為相機的底片），掩膜這種東西，需要專門去定製，晶圓上面積體電路的線寬就由掩膜來控制，掩膜上面有的地方透光，有的地方不透光，把它放在塗了光刻膠的晶圓上面，再用特殊的光去照，之後再經歷其他的步驟就會顯現出想要的圖案。
至於光刻機，用的也不一定都是雷射。光刻機用的光也可以是汞燈的光，或者其他的「光」。因為光刻時要用到透鏡，透鏡可以把掩膜上的圖案縮小投影在晶圓上，這就涉及到投影的解析度。
解析度又跟折射率和用的光的波長有關，這裡邊是有個計算的公式來的。要得到大的解析度要求需要波長短的光，尤其是現在積體電路製程追求的特徵長度越來越小，要求的整合度越來越高，現在好像有研究用x射線和電子束，甚遠紫外線等。
了解的不多，希望有用。
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