1樓：焚琴烹鶴
居然碰到這個問題？
我猜你想問的是坩堝的形狀。上面的回答中給出了幾種典型坩堝的形狀。出現種種不同設計的原因是綜合考慮均勻和束流穩定性。
至於縮口的那個形狀。曾經是veeco的專利，兼顧了穩定性和均勻性，因此大賣。
簡單的就說這麼多吧。分子束外延的源爐一般是針對不同材料的性質而特殊設計。講起來太費勁。
2樓：
個人理解僅供參考。
選擇坩堝形狀時，第一原則是要和k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個前提之後再來考慮其他的方面。這是因為如果形狀不匹配，加熱就會不均勻，一方面測溫不准會影響實驗可重複性，另一方面坩堝各個部分熱膨脹不均勻可能會導致損壞。
接下來再考慮其他方面的問題。最原教旨的k-cell是這麼個東西：想象乙個封閉的盒子，盒子裡面放著某種可昇華/蒸發的材料，那麼在一定的溫度下，材料表面昇華/蒸發的分子數與凝華/凝結的分子數是相同的，此時的蒸氣壓就是材料在該溫度下的飽和蒸氣壓。
這時如果我們在盒子上開乙個很小的洞，從這個洞裡就會射出分子束，而束流的大小完全由材料的蒸氣壓決定，也就是完全由盒子的溫度決定，這就是MBE技術可以精確控制分子束流大小的基本原理。
但在實際應用中，大部分情況下MBE蒸發源坩堝的開口都相當大，因為開口大束流才能夠大，才能有相對可接受的生長速度，所以實際的蒸發源是在蒸氣壓準平衡甚至非平衡的條件下工作的。這幾種坩堝形狀最大的區別是束流的大小和分布。錐形坩堝離平衡態最遠，束流較高且分布角度大，束流的控制也是最不精確的。
酒瓶形最接近平衡態，束流低、分布角度小，但束流控制精確，我會用來蒸發Na之類的高蒸汽壓材料。直筒型各方面效能比較中庸，適合大部分材料，是我用得最多的型別。
考慮束流分布角度時還需要注意不同蒸發源之間的交叉汙染問題，這個問題對於錐形坩堝比較嚴重。
我不愛用錐形坩堝還有乙個很現實的原因：蒸發源傾斜安裝時，坩堝裡的東西容易撒……
如果要追求1nm/s級的高速生長，並且襯底是2英吋以上的晶圓——錐形坩堝
如果生長速度是0.1nm/s級或以下，並且經計算束流可以均勻覆蓋整個襯底——
150C時蒸氣壓在10^4 mbar以下：直筒坩堝
150C時蒸氣壓在10^4 mbar以上：酒瓶坩堝
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