1樓：
這個問題的題幹是錯誤的
先說結論：7nm之後溝道材料電子遷移率不是很重要根本不是業界的努力方向
7nm 節點對應溝道長度大概在 20nm左右，想象一下溝道長度降低到10nm。
這時候溝道長度很可能降低到electron scattering的平均自由程以下。而mobility是相對大尺寸材料算出來的，考慮到scattering。所以在極短溝道FET的時候，mobility根本不能成為考察電子輸運的有效指標。
應以不同材料的電子有效質量計算saturation velocity，這也是碳管之前被認為有希望的最大原因，極小的有效質量以及ballistic transport
short channel device的contact resistance（接觸電阻）早已大於溝道電阻，成為制約跨導gm的最關鍵因素。
一圖以蔽之，電子的遷移率根本不是高效能電晶體所考察的決定性因素。
業界著眼點在於：
如何控制short channel effect，從而減小off-current，減小發熱，減小power cumption。
Anything beyond 100w/cm2 is detrimental to a chip.
2樓：又見山人
高遷移率意味著可以用更小面積的電晶體提供更大的電流，縮小了面積就是節約成本，這比提高頻率還重要。不斷提高遷移率是每一代半導體工藝的核心任務之一。
其實現在的工藝裡，溝道那麼短，非理想因素那麼多，遷移率不下降就很不錯了……
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