關於理想導體表面電磁場的邊界條件問題?

時間 2021-06-01 17:27:47

1樓:江湖騙子

感覺你是電科的,雖然郭碩鴻的書也不是很靠譜,但是買本電動力學吧,謝處方那個書真的勸退,一上來就是數學,乙個電流密度,電荷密度還分得那麼細,頭都大了。

感覺你是想問,為啥理想導體和一般媒質之間的邊界條件,導體那邊e=b=h=d=0,我也想問,但是我那時候非常划水,就沒問。只能講下現在自己的理解: 理想導體,可以認為它電導率無窮大,電容率0,那麼你搞邊界條件的時候,固然可以辯解說理想導體內部有恆定電流,於是有靜磁場,但是你想想電流是啥?

電流是運動的電荷呀!想想運動電荷和電場啥關係?電荷運動在電路裡叫電流,但本質上仍是在電場內運動對吧!

總歸這個世界上並沒有磁荷,這就導致了靜止電荷有電場,運動電荷有磁場,沒得電場的地方憑啥有磁場捏?不會有的,他們在一起永遠在一起,因為本質是乙個東西。

2樓:儒道釋

理想導體內部電場為0,根據麥克斯韋方程組電場的旋度等於磁場的變化率,磁場的變化率為0,則磁場為常數,時變電磁場不考慮常值

為什麼導體表面曲率越大,面電荷密度越高?

笒鞥 半徑為r的導體球曲率 1 r,若它帶電荷q,則其電荷均分布在表面,表面電荷面密度 處處相同,且 q 4 r 2 由高斯定理和對稱性原理,球表面電場E的大小處處一樣,且E q 4 r 2 E 導體表面是個等勢面,球表面電勢V q 4 r r 也就是說面密度和曲率的比值決定了該導體表面電勢的大小,...

為啥N型半導體,表面處懸掛鍵起受主作用,表面能帶向上彎曲 P型半導體,懸掛鍵起施主作用,能帶向下彎?

Frank 嘗試答一下,如果表面費公尺勢位於禁帶的1 3處,對於N型半導體,費公尺能級位於禁帶1 2之上,也就是N型半導體費公尺能級比表面費公尺能級高,那麼電子會半導體內轉移到表面,從而體內帶正電,表面帶負電,形成了乙個從體內指向表面的內建電場,也就是電勢從體內向表面是沿著電力線方向,電勢變低,因為...

你為什麼讀書 關於理想 ?

首字母L 我沒看回答,我想先說一下我為什麼讀書。我思考這個問題可能有點晚,大約在大學畢業後的第二個月,工作稍微穩定,莫名其妙思考起來這個問題。到現在我得到的答案既不是為了國家,很大一部分原因是為了自己,開始年紀小可能是想通過讀書可以吃好喝好住好玩好,隨著慢慢長大可能也是想改變命運一類,到後來讀高中看...