1樓：稗田椎菜
簡單的說，是使用了以 GaN 材料為基底製作的晶元的充電器。以充電器本身結構來說，無論是 GaN 還是普通充電器均無任何區別。GaN 充電器的優勢特徵幾乎都是由 GaN 材料本身的特性所帶來。
GaN 在部分領域/地區似乎被稱為第三代半導體材料，其最大的意義是另晶元生產不再侷限於矽晶圓，得而拓展至更加廣闊的領域。GaN 本身是一種 wide band gap 半導體材料，其禁制帶寬度可達 3.4 eV，高於同樣被稱為第三代半導體的 SiC（2.
9 eV，Si 約為 1.11 eV）。
高禁制帶寬度帶來的其中乙個好處是它的絕緣破壞電壓可達 3.8 MV/cm。高耐壓材料的好處可以通過兩個方向來考慮——在裝置尺寸固定的情況下可以輸入更高的電壓；或者是在輸入同樣電壓的情況下製作更小的裝置。
對於充電器這種主要使用場合為家庭電壓的場景我們只需要考慮後者。對於傳統 Power MOS 來說，耐壓性和電力損失通常是不可兼得的特性。但通過更換半導體材料，理論上能夠兼顧耐壓和減少電力損失。
根據取捨不同，也可能達到提高電力轉換率的功效。
高禁制帶寬度還帶來另乙個好處，它們可以在更高的溫度下保持穩定工作。不純物半導體的主要導電機構是由新增的不純物帶來的自由電子，當高溫時半導體內原有的電子會受熱勵起至傳導帶參與傳導。這對會影響晶元工作的穩定性，可能會導致預期外的動作。
而 wide band gap 材料禁制帶寬度較寬，其原有的電子更加不易勵起至傳導帶。不考慮其他部件，pure GaN 材料製作的晶元理論上可在 1000 攝氏度下仍然保證執行穩定。
當然 GaN 也有其固有的缺點。比如其製造成本相較傳統半導體材料大幅提高，使得最終產品售價亦有上公升。此外，GaN 本身的導熱性能與 Si 無二，但通常製作出來的裝置擁有更小體積。
儘管根據設計思路可能能夠達到提公升轉換率（降低發熱）的功效，但散熱問題仍然需要重視。
2樓：Lin
氮化鎵功率器優勢：
功率性比矽高900倍易散熱、體積小、損耗小、功率大耐高溫、開關快、電阻低、耐高壓。
想比較來說，現在氮化鎵充電器最大的優勢是充電速度比普通充電器充電速度快太多了。現在已經出現了，快充，超級快充，閃充，65W充電，120W充電器等等。那是普通充電器不能達到的高度。
所以，氮化鎵充電器和普通充電器最大的區別就是穩定性和充電去速度的不同。
3樓：陌上花開
GAN屬於第三代半導體材料，在航天和軍事領域應用廣泛，和第一二代半導體材料相比，具有明顯優勢；第一導熱效率高，GAN器件可以在200度以下的高溫工作，可靠性高第二高開關頻率可減小變壓器和電容器體積，有助於減小充電器體積
第三電子飽和度速度快，可以讓器件加速工作
總的來說，氮化鎵是未來充電的趨勢，這個技術使充電頭在提高速度的同時體積更小
4樓：雲覽天下
氮化鎵充電器的充電器比較好用，效能穩定，不會對電池造成損害，我現在用的是倍思氮化鎵充電器有三個介面支援多種裝置，可以同時使用還有智慧型分流的功能不會對電池進行損害
氮化鎵充電器有沒有推薦？
宇文樹學 如果有給筆記本充電的需求的話，要提前看下是否可以支援？雙十一買了乙個努比亞65W單口充電器，結果充筆記本不太給力，後來看了下評價，應該不是個例。 湘水 強烈推薦倍思氮化鎵充電器，完全幫我解決了出門需要攜帶多種充電器的麻煩問題。我用的這款倍思氮化鎵快充充電器是我的同事兒給我推薦的，不管是筆記...
如何評價小公尺氮化鎵（GaN）充電器？
啟小灰 對於小公尺氮化鎵充電器，我是比較清楚的，因為我自己用的就是官方小公尺11配置的氮化鎵充電器。充電速度挺快的，我用的是55w的，也不會很容易發熱。目前，快充充電器採用氮化鎵這種第三代半導體材料，受到很多人的喜歡。因為它散熱快，功率高，而且體積合適方便攜帶。在此之前，我們經常是用矽這種材料，缺點...
為什麼氮化鎵充電器那麼貴？
稗田椎菜 GaN 結晶本身製造難度高。GaN 材料最早發明出來被用於藍色 LED 時，人們就已經發現想要製作 GaN 結晶非常困難。好在 LED 對結晶性要求不高，產業上開始廣泛使用 InGaN 材料來代替 GaN 結晶來製作藍色 LED LD。後來，對於 wide band gap 半導體材料的研...