1樓：稗田椎菜
GaN 結晶本身製造難度高。
GaN 材料最早發明出來被用於藍色 LED 時，人們就已經發現想要製作 GaN 結晶非常困難。好在 LED 對結晶性要求不高，產業上開始廣泛使用 InGaN 材料來代替 GaN 結晶來製作藍色 LED/LD。後來，對於 wide band gap 半導體材料的研究更加深入，人們發現 GaN 材料擁有較高的絕緣耐性，非常適合用來製作 Power Device，於是便有了 GaN 充電頭。
但是 Power Device 對 GaN 的結晶性有一定要求。曾經被集體迴避掉的單結晶 GaN 生產問題重新擺在了眼前。
不像傳統 Si 材料，GaN 無法通過 CZ 法進行單結晶成長。目前主流的生產方式是在其他結晶表面生成約 1 mm 厚度的 GaN 薄膜，然後將其剝離下來，打磨後作為 GaN 基板來使用。一次只能生成 1 mm 的厚度，對比一次提拉就能生成最高可達 2 m 的 Si 來說產量已經十分低下。
在剝離異種結晶時，由於單結晶周圍附著的多結晶及內部的結晶缺陷等原因，還常常會出現應力堆積導致基板破裂。實際上目前可以說人類還沒有掌握大規模生產 GaN 單晶的能力。
在這種背景下，依舊強行將 GaN 製品商品化，（相比傳統 Si 半導體，）其售價自然也要高得多。
*部分資料為 2019 年 11 月時的資料。
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