1樓：獨行遠征
電動力學推導導體裡電磁場的傳導，記不清了，好像有個虛部的結果，與頻率成正比，就是傳輸損耗。只要在介質中傳遞電磁場，都要遵從這個規律。所以高頻訊號都要用波導傳輸，高頻大功率的發射要用速調管，盡量在真空條件下，傳輸電磁波，發射訊號的時候調製真空管中的電子注（大號電子槍大量的自由電子），就這樣為了幾萬瓦的訊號，散熱系統也很巨大。
2樓：
我們完全可以運用初中知識理解這個問題.
現在的積體電路是charge based.
積體電路本質是對電容的運用,電路的頻率取決於電容充放電的速度,充放電的速度取決於電流的大小.
因此,電晶體中電流越大,電容充電速度越快,IC速度越快.
電流大了,熱功耗就大了,這是乙個很基本卻很重要的問題.
3樓：
cmose和bjt的區別在於，bjt工作時一直有電流流過，cmose則只在導通到截止或者從截止到導通時的過渡狀態下有電路流過，所以頻率越高，單位時間內這種狀態轉變越多，功耗也就越多，發熱也就越大。
4樓：
如果把CPU看作乙個電路原件（電源端，訊號輸入端，訊號輸出端）。假設它的等效阻抗為Z（jωA＋B），那麼可知，阻抗的大小l Z l是隨著角頻率(ω＝2πf)的增大而增大的。發熱功率為I×l Z l。
其中I為CPU的平均消費電流。
5樓：慕容行者
其實並不是頻率越高發熱越大的，現在的手機CPU有G級別的頻率，發熱比十年前的M級別CPU還低。
不同的架構，發熱不一樣，不同的製程，發熱也不一樣。
如果其它條件一致，僅僅頻率不同的話，那麼是由如下兩個原因導致的一是頻率高了內部電路動作更多了，功耗增高；
二是CPU本身是乙個電容性強的電路，頻率高了電導增高，功耗增高；
而CPU本身輸出功率是很低的（數位電路都這樣，否則也就不會有阻抗匹配一說了），功耗大部分最後變成發熱，於是發熱增加了。
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