1樓：森永
因為早期的二氧化矽做不純啊，二氧化矽一不純，Nss就高，Nss一高，閾值電壓就很容易小於0。我們都知道增強型器件比耗盡型好，在閾值電壓小於0的情況下，當然是pmos順理成章的先被做出來了。
2樓：Zack.Pu
大概有以下兩個方面的原因：
1. MOS管早期製造中的有源區摻雜(doping)採用擴散工藝(diffusion)而不是現在的離子注入(ion implantation)。在同等溫度下，p型擴散boron的擴散速率遠高於n型擴散phosphorus的擴散速率，因此早期PMOS製造更快。
2. 擴散過程是各向同性(isotropic)的，擴散過程中會有橫向擴散，減小了真實的溝道長度，這會影響MOS管的閾值電壓。PMOS(n型襯底，載流子濃度高)的閾值電壓的絕對值高於NMOS，橫向擴散造成的閾值電壓影響遠小於NMOS。
所以早期工藝下PMOS的效能要求(閾值電壓)更容易過關。
但是NMOS速度要高於PMOS，這是NMOS優勢所在。
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