1樓：葉與紙
暫時是東芝量產到128層了，各大廠商都量產到96層了看到時候干擾以及矽穿孔的極限吧，大概很快就到極限了(也可能是我低估了這個極限，說不定還可以堆很多層)3d nand堆疊這兩年發展超快，我看著新聞從32到64到96到128……好像是32層一組加上去的？
2樓：
會受到良品率，成本，延遲等多方面影響。
個人感覺，層數越多良品率越低，生產週期越長，從而成本越來越高。而且層數過多很有可能導致相互干擾嚴重，目前三棒那邊128層（2023年）沒問題，再往後就很難說了。可能會採取之前2D nand的做法，提高製程（從目前30nm左右級別提公升到1xnm），這樣3D nand的內部干擾會變大（可以靠演算法和良品率以及其他工藝彌補），pe數減少（這點大家都有印象，還記得當年的840evo嗎？
不過可以靠容量緩衝，不過如果進化到qlc就麻煩了（當年840evo的pe數在1000左右，據說同樣製程的qlc不到300（現在靠著工藝不那麼先進才維持到1000左右）），但總的來說還是容量為王（當然了，pe數不能太低，根據這幾年市場的檢驗，pe數1000是個門檻（普通家用和簡單商用，側重於讀取的除外）~），速度問題可以靠slc模擬，寫入放大和ram快取來彌補（說的就是你，TLC和QLC nand）~
3樓：Jedi 姜
成本姑且不論，反正市價漲到夠高，就有人去試。
我想到的乙個可能技術障礙是 RC 延遲，層數太高會不會 R 和 C 成為電路設計上互相牽制的引數？
這塊我不懂，姑枉言之，姑枉聽之。尚祁大牛開釋。
4樓：
我們從乙個比較另類的角度去算一下。假如一顆NAND晶元的裸芯面積是1cm，如果疊成1cm的正方體，那就需要澱積1cm厚的疊層材料。我們假設澱積速度是1 nm/s (實際上大多數澱積是比這個要慢得多！
）。那麼，即使不考慮更換裝置等時間，這個NAND晶元只澱積薄膜就需要耗費
1cm/(1nm/s)=10000000s=166666分=2777小時=115天！
嗯，真要這麼幹，十個三星也要完蛋了！
從另外乙個角度，其實3D NAND的製造，主要是成本驅動，當層數達到一定程度後，再增加所需要成本過大，將會阻礙層數的繼續增加。從技術角度，3D NAND要形成字線和位線，需要三維的金屬互連貫穿整個疊層，因此，層數越多，工藝加工難度就越大，此外，散熱、單元的均勻性也會出現問題。
一些膚淺的見解~請大神們指正
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