1樓：李sir
做乙個手機的soc需要100億個這樣的電晶體。
這東西一致效能保證嗎?能和現有的產線和EDA工具融合嗎?能量產嗎?
有很準確的模型嗎?有其他邏輯器件嗎?能做RAM和ROM嗎?
能做flash嗎?漏電流大嗎?
下面應該還有幾十個問題。
2樓：
中科院微電子所先導中心朱慧瓏研究員課題組--世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直奈米環柵電晶體的實現
該研究工作由中科院微電子所先導中心朱慧瓏研究員課題組於2023年發表在國際微電子器件領域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》上。原文：Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variatio（DOI:
10.1109/LED.2019.
2954537）
這種東西，一年有幾十個，看看就得了，當真就算了。
3樓：
FINFET的下一步發展方向是環柵，這是業內一致認可的，所以中科院的研究方向是正確的。
但是意義多大嘛，還要取決於這一製備方式將來是否可能量產、是否和現有工藝可以相容、成本多少良率多少等等。
這新聞裡技術細節一點沒有，你讓我咋回答嘛……
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