1樓：我咋又餓了
儲存晶元不是雙面光刻，可以做成，但是完全沒有必要！
晶元的光刻區深度大概是晶圓厚度的百分之幾這個樣子，很薄，所以也叫平面工藝。講道理的話是可以實現雙面光刻的，但是仔細想想也不大行。我的理由如下:
1.晶元雙面打磨光刻對正反面晶元光刻時對齊的要求很高，晶元在生產製造過程中難免會產生缺陷而導致晶元報廢，雙面光刻更是會降低晶元的良品率。雙面光刻的成本已經是大大增加了，如果良品率再降低，就更得不償失了。
2.雙面光刻的晶圓在整個晶元製造過程中不方便進行運輸，生產好的晶元還可能會因為電場磁場原因而引發一些其他效應，積體電路可靠性也可能會降低。
3.雙面光刻的目的是為了減小晶元面積，其實大可不必這樣，完全可以用三維整合技術（TSV）來實現。
2樓：字太黑
你是覺得晶元很貴嗎？逗比回答，
跟你說說實際情況是:所有完成以後，封裝需要將背面磨薄，然後切割。你要是兩面進行，怎麼切割？
3樓：消失的苦貓
雙面光刻要付出雙倍（甚至）更多的光刻成本，得到雙倍的光刻面積；這並沒有什麼可見的好處，你能得到的就是省了個晶圓，省了一團沙子（雖然矽片比沙子貴多了）
但是你要付出工藝上的巨大代價，你要光刻一側時保護另一側，你要付出人力成本，你要研發新的機器，這都是錢，所得到的只不過是省了一片矽片。
如果你為了省面積的話，目前有堆疊封裝可以省面積，那也不需要雙面刻了。
4樓：
因為雙面光刻比單面光刻然後做兩片更貴啊……
在對一面進行光刻/注入/生長/刻蝕的時候，還要對另一面做好保護，是非常非常麻煩的，成本可高了。
5樓：Silicon Paladin
雙面光刻的目的是什麼？
舉個簡單例子，蓋樓房都是從地面往上蓋，地下也能蓋，怎麼沒人地下蓋30層？
歸根結底是目的驅使。背照式攝像頭BSI工藝會用到雙面光刻。正面光刻是傳統電路，背面光刻是為了攝像頭的進光，避免電路干擾。工藝複雜度較高，容易破片。
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