1樓：Agent Zebra
我提供乙個新的角度吧。
IBM做Ge好久了，它家的一些工藝是偏向模電的，有成熟的Ge heterojunction transistor，必然積累了很多Ge的經驗。
其他的幾家大的代工廠(以及intel)專攻數位電路，純CMOS。在Ge上的經驗不多，所以在開發新工藝時不會首選Ge吧
2樓：雪兔紙
謝 @袁霖 邀
我是做through silicon via（TSV）方面的，對基體材料了解不深，拋磚引玉的說說查到的資料吧。
首先回答為什麼IBM要用鍺矽材料。那是因為IBM是鍺矽材料的行業領頭人，他們對這個材料的效能，工藝等是最了解也是研發能力最強的。既然是要製造打破現在尺寸極限的新型晶元，當然是要用自己拿手的材料。
這個材料並不是新發現的，但是IBM多年技術積累把這個晶元做出來了，這是很了不起的。IBM - 矽鍺晶元
其次回答這個材料的優勢。
鍺是比矽貴的，所以它的優勢應該是在矽晶元力所不能及的領域，才使人們願意花大價錢去製造。下面詳細說。
上圖是鍺和矽的能帶圖，可以看出鍺的帶隙比矽小。鍺矽材料可以通過調節鍺的組分和引入表面起伏，使響應波長工作在1.3μm和1.
55μm之間。而常規光通訊波段為1.3μm-1.
6μm。所以這個特性使鍺矽材料在光通訊器件方面有很大優勢。
上圖是鍺和矽的遷移率比較，鍺的遷移率遠大於矽，具有很好的高頻效能。鍺矽材料在一些射頻領域就有很大的優勢。鍺矽低維量子結構製備研究。應用範圍如下圖
鍺矽積體電路晶元生產線專案可行性研究報告
除了效能的優點，如另外的答主回答的，鍺矽材料製造工藝和矽材料製造工藝是比較相容的，實用性很高。晶元製造中，裝置成本是很高的（隨手搜到三星最新的晶元廠造價144億美元三星新晶元廠2023年投產造價144億美元），工藝融洽的材料更受青睞。
另外，搜這個新聞的時候，看到英特爾表示自己的7nm晶元也在研發中，而且不用IBM採用的極紫外線光刻（EUV），拭目以待。展示了 7nm 晶元的 IBM，真的領先英特爾了嗎？
3樓：
由於矽基mosfet溝道越來越短，二級效應就變得很嚴重，眼看摩爾定律就要到頭。一是改變器件結構，二是尋找新材料，能讓摩爾定律接著走下去。
鍺相對矽電子遷移率更高，理論上效能可以做的更好。這種東西做出來沒什麼新奇的，關鍵看能不能量產，以及相容現有的矽工藝。
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