1樓：
這個以前回答過一次，說白了就是動態功耗太大了，但目前最新工藝管子的開關頻率是遠在目前主流CPU頻率之上的。
2樓：其實我是老莫
頻率過高，散熱確實會成為乙個問題。不過是不是會融化，那我就不知道了。
散熱的問題主要是因為溫度公升高以後，漏電流會變大。而漏電流變大會進一步提公升功耗，使得溫度繼續公升高。如果超過散熱極限了，溫度就持續上公升了。
這個持續公升高會到什麼程度，我沒有試過。但一定會造成電晶體的損傷，英文原文叫（burn out）。這個burn out以後的電晶體長什麼樣我表示沒見過。不知道哪位知友給上個圖。
3樓：
別的不說，矽的熔點高達1400度，你要告訴我晶元自身發熱能到達這個溫度？
就算你拿氧炔焰去噴，先熔化的也是焊點（熔點200度左右）、散熱片（鋁熔點660度）、導線（銅熔點1084度）。其他的PCB、矽脂、底座這些有機物我就不說了。
4樓：
可以查查電晶體的結構，記得裡面有等效電容結構，說不定是因為電容響應頻率的關係，達到高頻還要計算效能，所以就要高電壓，高電壓下分分鐘發熱，然後就沒有然後了，但對40億這個資料很懷疑，跟體質有關係的。
除了等效電容外電晶體結構還挺複雜的，具體不記得了，但高頻就是高電壓，然後高能耗，高發熱
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