如何設計乙個IGBT或者MOSFET驅動?有哪些步驟,需要注意哪些方面?

時間 2021-06-03 00:43:21

1樓:

幫題主把問題大概細化了下,希望我做完這個專案後能回答清楚這個問題。

一、開關過程分析

1.開通過程及損耗

2.關斷過程及損耗

3.mosfet選型

二、驅動基本要求及計算

1.驅動電量

2.驅動電流

3.驅動電阻

4.驅動功率

三、其他問題

1.寄生振盪

2.併聯振盪

3.體內二極體反向擊穿(mosfet)

4.負壓關斷(igbt)

5.半橋驅動

6.隔離驅動

7.散熱設計

8.布局佈線

2樓:四把大叉

小功率的話,前面的Merlin馬先生已經說了,各式各樣的驅動晶元,基本上來說沒有特殊要求的話,都能夠滿足需求,配乙個合適的G極驅動電阻,以及防止靜電電荷等引起開關管誤通的DS併聯電阻。然後了解一下驅動晶元的驅動訊號輸出級,一般推挽輸出,為了加速MOS的關斷可以給驅動電阻反併聯乙個二極體,二極體一般根據你的開關頻率選擇,反向恢復時間注意一下就好。

大功率情況下的話,有驅動模組,這是最簡便的方法。還有用於驅動的變壓器,X寶上面貌似就現成的產品,根據需要的驅動功率選擇即可。

這裡面的話,如果驅動部分驅動功率過小,公尺勒效應就會比較明顯,一旦出現基本上選用驅動功率足夠的驅動即可解決。

歡飲補充

3樓:Merlin

大功率一般都用驅動模組,比如concept公司的...

小功率用各式各樣的驅動晶元...

帶保護功能的,自己也沒有設計過...

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