1樓：呆濤
材料領域的第一代，第二代， 第三代並不具有「後一代優於前一代」的說法。
第一代半導體材料主要指矽和摻雜矽；
第二代半導體材料包括 GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）等
第三代半導體材料主要包括碳化矽(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁（AlN）等
我認為用「代」來劃分半導體材料主要是因為翻譯問題… 所以造成了誤解…
為什麼是誤解呢？
在isscc（國際固態電路大會） 上面的 emerging technology （新技術） 分會中， 所有新型半導體材料都是：
(possible) Alternative of Silicon.
什麼意思呢？ 就是說我不管你丫第幾代， 你只是乙個可能的替代品。
你可以有更高的電子流動速度， 更寬的能帶， 更高的光子放射能量等等，
矽不在乎。
因為沒有乙個半導體材料能在製造可靠性和整體效能上面和矽對壘。
至少目前沒有。
所有新型的半導體材料， 要麼是整體效能比不上矽， 只能在某一方面具有超越矽的能力；要麼是單獨的PMOS/NMOS材料， 不能組成經典CMOS電路；碳奈米管好不容易已經在效能上接近 （感謝更正！） 矽了， 但是丫造出來100個壞90個你敢去用？
所以， 不能只看第幾代材料， 等到業界覺得這東西製造工藝已經成熟了，造出來的東西普遍比矽好了， 自然會拿出來的。
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