1樓：Kevin Hahn
簡述一下：
1)基本模型-夾斷(pinch-off)：長溝道（無溝道長度調製效應）、低壓器件（無Kirk effect/quasi-saturation）。缺點：
實際Vds(sat)總小於基於pinch-off概念得到的Vds(sat)=Vgs-Vth；pinch-off區的載流子速度無窮大，不合理（反型層載流子濃度為0，電流值有限，則速度無限大）。
2)改進模型-速度飽和(velocity saturation)：基於速-場關係，適用於低壓長溝/短溝器件，理論與實踐相符，並可擴充套件至高壓器件的quasi-saturation。建議放棄1)而使用2)作為saturation current/voltage的基本解釋。
參考文獻：
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