1樓：不語
看在模電裡面提到了勢壘電容和擴散電容的概念。
1.斷電瞬間，將pn結接負載
先說勢壘電容pn反偏耗盡層變寬。此時有勢壘電容的存在。
再說擴散電容在p區和n區同時存在擴散電容。靠近介面的少子濃度最高越遠離介面濃度越低。
這裡我們會發現 n區介面有高濃度的空穴。 p區介面有高濃度自由電子。p區n區相連後 n區少子空穴會通過負載擴散到p區 。
p區少子自由電子也通過擴散到達n區。從而類似於電容放電過程。
2.斷電瞬間無外接負載,耗盡層變化。
從上圖可以看出在內外兩電場作用下空穴會向p區邊緣靠近，從而耗盡層變寬。當外電場斷開後電場力不足以使之前所有空穴保持在原來位置。一少部分的空穴會在濃度差作用下向右移動（n區移動）。
自由電子同理。從而耗盡層會慢慢變回初始轉態。
2樓：大山
借樓上圖一用
我猜想你的問題是這樣的，當反向偏壓斷開時候，沒有了外來的電荷，耗盡區（也就是寬的那個）是怎麼恢復到平衡時候的耗盡區（也就是窄的那個的）？
我的理解是這樣的：
我們把窄的那部分耗盡區摘除，因為擴散和這部分的耗盡區是平衡掉了的。當斷開時候，就相當於乙個電容器，左右極板上還有電荷（就是寬窄耗盡區之間的那部分），會有額外的電場仍然存在，而此時PN結兩側還是相當於有反偏電壓的。PN結反偏時候耗盡層中有電子空穴對產生，同時晶格振動也會產生電子空穴對，產生的電子空穴對在額外的電場的作用下向兩側移動，中和掉了產生額外電場的固定電荷，系統就逐漸恢復到平衡態了。
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