1樓：中諾新材
磁控濺射在技術上可分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射.
1.直流(DC)磁控濺射
濺射與氣壓的關係 - 在一定範圍內提高離化率(盡量小的壓強下維持高的離化率)、提高均勻性要增加壓強和保證薄膜純度、提高薄膜附著力要減小壓強的矛盾,產生乙個平衡.
輝光放電直流濺射系統
特點:提供乙個額外的電子源,而不是從靶陰極獲得電子.實現低壓濺射(壓強小於0.1帕).
缺點:難以在大塊扁平材料中均勻濺射,而且放電過程難以控制,進而工藝重複性差.
2.中頻(MF)磁控濺射
中評交流磁控濺射可用在單個陰極靶系統中,工業上一般使用孿生靶濺射系統;靶材利用率最高可達70%以上,靶材有更長的使用壽命,更快的濺射速率,杜絕靶材中毒現象.
3.射頻(RF)磁控濺射
射頻濺射特點 - 射頻方法可以被用來產生濺射效應的原因是它可以在靶材上產生自偏壓效應.在射頻濺射裝置中,擊穿電壓和放電電壓顯著降低.不必再要求靶材一定要是導電體.
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