1樓：中諾新材
磁控濺射工藝的主要優點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,並且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械效能等.該工藝具備以下特點:
1、沉積速率大.由於採用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產能高、產量大、於各類工業生產中得到廣泛應用.
2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V範圍之內的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效範圍之內.
3、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上.
4、基片溫度低.可利用陽極導走放電時產生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜.
5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致,靶的區域性位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率.
6、復合靶.可製作復合靶鍍合金膜,目前,採用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復合靶的結構有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結構的使用效果為佳.
7、應用範圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等.
磁控濺射是眾多獲得高質量的薄膜技術當中使用最廣泛的一種鍍膜工藝,採用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,廣東振華科技真空磁控濺射鍍膜工藝現已廣泛用於大面積基材的鍍膜當中.該工藝不僅用於單層膜的沉積,還可鍍製多層的薄膜,此外,還用於捲繞工藝中用於包裝膜、光學膜、貼膜等膜層鍍製.
磁控濺射技術分為直流 DC 磁控濺射 中頻 MF 磁控濺射 射頻 RF 磁控濺射，分別有何作用？
中諾新材 磁控濺射在技術上可分為直流 DC 磁控濺射 中頻 MF 磁控濺射 射頻 RF 磁控濺射.1.直流 DC 磁控濺射 濺射與氣壓的關係 在一定範圍內提高離化率 盡量小的壓強下維持高的離化率 提高均勻性要增加壓強和保證薄膜純度 提高薄膜附著力要減小壓強的矛盾,產生乙個平衡.輝光放電直流濺射系統 ...