1樓：木旦
不會有電流，持續的電流沒有，一瞬間的電流也不會有。
內建電勢，只存在於PN結的耗盡層內，之外是沒有電勢的，所以接負載也不會有電流，負載只能通過導線接在PN結之外的引腳上，插入到PN結內部的耗盡層裡估計也沒人做得到。
2樓：
載流子擴散勢（濃度梯度，借用生理/細胞的術語了理解為滲透壓）和電勢達到平衡，所以化學勢梯度為0，不存在淨電流，巨集觀上不對外做功。
從能量的角度上講，載流子被自建電場驅動釋放電勢的電勢能，實際上來自於熱運動（擴散的動力）提供的動能：
想象乙個電子從N區被撞到了P區，穿過了空間電荷區的自建電場之後速度降低，動能轉化為電勢能；如果它又被掃進了電場，在電場中加速並回了N區，則之前的勢能又被轉化為動能，並進一步通過碰撞歸還到熱能之中。
因此，PN結中伴隨著載流子的漂移-擴散動態平衡，在能量上是不停歇的能量轉換過程，沒有新能量憑空出現，不存在第一類永動機的可能。
PS：瞬時電流有助於理解微觀過程、雜訊和器件的電學特性，但是沒有回答能量的問題
3樓：
pn結只是多子（自由電子）與少子（空穴）的移動產生的電場，當只有附加外電場形成閉合迴路時，才會形成正向電流與反向電流，自身電勢與負載形成迴路時應該不會產生電流
4樓：
憑藉著對能量守恆定律的信心，即使我不知道任何半導體物理我就可以說，不會成為永動機。
如果我懂的半導體物理多一點，那麼還是可以從半導體物理上得到乙個解釋。
我以前想過乙個問題：如果簡單地用導線把二極體的兩端短路，然後我們考慮對電場沿著導線環路做乙個積分。導線內部處處電場為零，二極體n區p區的quasi-neutral region電場也近似為零，由於內建電場的存在，靜電場的環路積分不為零！！
那豈不是違反靜電場環路定理了？
仔細考慮，發現金屬的，半導體n區的，以及半導體p區的work function不可能三者都相等，那麼必然會在金屬/半導體結處產生內建電場。有可能兩個金屬/半導體結都有內建電場，也有可能只有乙個金屬/半導體結有內建電場。而金屬/半導體結的內建電勢恰好跟pn結的內建電勢大小相等，方向相反，保證了靜電場的環路積分為零。
5樓：逸心
zh.wikipedia.org/zh/%E5%8C%96%E5%AD%A6%E5%8A%BF不同，但你要形成迴路還是要把另外一端相接的。
舉例來說，直接將PN結另一端用相同材料向接，那麼在另一端形成同樣的PN結，但是電場相反；
再舉例，將PN結另一端用導體相接，導體和半導體連線處會產生和PN結內類似的邊界電場，而P型半導體和導體，N型半導體和導體之間的邊界電場的電勢差合在一起總是和PN結上的電場產生的電勢差平衡。
PN結單向導電性中這是為什麼？
Dodge1 PN結的形成 左邊是在矽中摻雜三價元素形成P區，右邊在是矽中摻雜五價元素形成N區。P區的多數載流子是空穴，N區的多數載流子是自由電子。由於濃度差的原因，P區靠近右邊的空穴會優先到達P區和N區的交介面，自由電子復合，然後N區靠近左邊的自由電子會優先到達P區和N區的交介面,這個同時的過程，...
量子阱中的量子隧穿效應和一般pn結中導致隧道電流隧道效應是一回事嗎？
龍小虎 是一回事。PN結中的隧道電流部分就是隧穿效應引起的，只是為了計算方面按照隧穿原因分為了若干種模型，像電場相關的 如 Fowler Nordheim tunneling 還有很多陷阱輔助的。此外問題描述中有不夠準確的地方。二極體反向耐壓時還有熱電子發射 Thermionic emission ...
二極體外加反向電壓斷開的那一瞬間，PN結 耗盡層 怎樣恢復常態？請從微觀結構給予解釋和說明，謝謝！！？
不語 看在模電裡面提到了勢壘電容和擴散電容的概念。1.斷電瞬間，將pn結接負載 先說勢壘電容pn反偏耗盡層變寬。此時有勢壘電容的存在。再說擴散電容在p區和n區同時存在擴散電容。靠近介面的少子濃度最高越遠離介面濃度越低。這裡我們會發現 n區介面有高濃度的空穴。p區介面有高濃度自由電子。p區n區相連後 ...