1樓：FATRI
太陽能電池就是一種基於光生伏特效應將太Sunny能直接轉化為電能的器件。光照的時候，矽最外層吸收能量成為自由電子，同時產生乙個空穴，形成電子空穴對。如當電子空穴對在PN結內建電場的區域產生時，空穴會向P區移動，而電子則會向N區移動。
利用這個電勢差我們產生了電流。
所以製造太陽能電池，我們首先要製備PN結。通過摻雜，我們可以很容易得把本徵矽變成P型半導體或者是N型半導體。這也是為什麼第一代跟第二代太陽能電池都是基於矽製備的。
除了PN結之外，肖特基勢壘(Schottky barrier)也可以產生內建電場。如果想用金屬做太陽能電池，就需要找到與之相應的半導體材料，使得金屬的功函式(work function)和半導體的費公尺面(Fermi level)之間的禁帶寬度和可見光的能量差不多，這樣材料就可以將可見光吸收。目前已知的用銫做的太陽能電池有copper indium gallium selenide solar cell (CIGS cell）
2樓：船到橋頭自然沉
太陽能光伏發電的本質是運用光生伏打效應，最早由赫茲發現，後來愛因斯坦運用計算總結出公式Ek＝hv-W h是蒲朗克常數約h=6.63×10^-34 J·s， v是光的頻率，w就是逸出功了
那麼，可以用這個原理，製造出利用光子的能量去改變電子的位置而形成電流。
根據愛因斯坦光電效應理論來說，光電子的最大初速度由入射光的頻率和金屬的逸出功共同決定，而銫的電子震動頻率較高，逸出功所對應的Sunny頻率相對較少，眾所周知太Sunny能量最高的波段在可見光的黃綠色之間，所以需要去尋找所對應的擁有最適合的逸出功的金屬。
而不一定是金屬，我們常用的光伏材料多是一些半導體，如矽或者砷磷化物，它們效率很高，相對成本也不高，是很好的選擇。而不考慮成本，若要選擇其他的原料，銫也不是最好的選擇，銫的逸出功很低，約1.9eV。
前面說過，逸出功的減少會增加Ek的總值，但是總值高了又能怎樣呢？銫所對應的v值太陽是無法滿足的，Ek反而會更少。
所以為了使v值與太陽輻射相配合，最好的選擇似乎就是矽半導體作為光伏載體。
3樓：sef7132
太陽能的本質是光子能激發產生電子空穴對或都激子，並且能把他們分離開來，這個就叫光生伏打效應(photovoltaic)。而樓上提到的，金屬在光照射下，逸出電子，這是光電效應（photoelectric)。
銫並不適合做太陽能電池，光照射下產生的電子空穴對會迅速復合，不能分離。只能產生光電效應，光電效應可以用來做電子管，在外建電場中可以導通，但不能發電。
4樓：bhswwyy
不考慮成本，以及製備提純之類的話，乙個物體能不能做太陽能電池，看的是能不能產生光生載流子，Cs是金屬，被照射後產生的是逸出的光電子，此時Cs本身缺電子，如果處在合適電路中，其會吸引電路中其他電子填充以此產生電流，再轉換為電能儲存起來，其產生電能的方式會較半導體以內光電效應為主的材料不同。
但問題就是這個電流能有多大，外光電本身效率就低，而且Cs的逸出功是2.0ev左右，太Sunny在此波段的能量本身就更少了，不做其他處理，可以說真做出來可能效率會很低。
而且太陽能電池的穩定性也是乙個問題（說的就是你OPV）Cs是活潑金屬，很易氧化，能不能在空氣中長時間存在也是個問題。
當然實際考慮的話，成本也是個問題，現在太陽能多矽。主要在於其價效比和是，效率高，不是特別貴。Cs如果效率低，大規模製備還麻煩的話，基本是無法看到其有被大規模運用於太陽能的可能性
研究太陽能電池的人在研究什麼？
陳宸 Y6才到15.7啊，opv路漫漫其修遠兮，總有一天都會用上opv的傘，衣服，牆紙，等等。雖然理論效率只有33.7 但是成本足夠低的話，就有利用的必要，這也是我們一直致力於研究低成本柔性輕便的opv器件的原因，矽基光伏這種笨比東西總有一天會成為光伏之恥，消失在歷史中，未來是有機半導體的天下！我以...
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太陽能電池板最佳傾角計算方法？
侯俊嶺 我請教一下，我想在空地上放乙個貨櫃，在頂上安裝光伏面板。這是一塊空地，沒有任何遮擋。我還需要設定傾斜角度嗎？是不是平鋪在頂上即可，會獲得更大的效能。 啞者 個人感覺沒有很精確的計算方法，贊同樓上，實時檢測獲得資料最有說服力。首先要了解幾個引數，如太陽方位角高度角等，方位角 一天中負荷的峰值時...