1樓：
可以拿乙個歐洲品牌的變頻器，執行中隨便短接兩相輸出。
短路一千次，可以保護一千次，絕對不會壞。
一般從電流突變開始算，6-7us可以封波，都是用的相線上的霍爾保護。
其他的答主，恕我直言，全是半桶水，就這樣還做工程師，好好研究下競品吧。
2樓：田小胖
模組級短路試驗，就半橋而言，上橋Vge=15v保持開通狀態、下橋ge短接、負載短路，母線電壓從600v開始測，電壓脈衝寬度從5us開始增加，每次增加1us到擊穿為止。若未擊穿則增加母線電壓重複上面的步驟，直到IGBT掛，產品手冊上一般只會給600v電壓下短路小於10us。Infineon的晶元可以做到短路電流控制在5-6倍額定電流，IR可以在7-8倍，中國產晶元目前看到的很多超過10倍。
從晶元結構來看，平面型的晶元扛造有的可以撐到20us，溝槽型的弱一些，當然具體還得看晶元面積，越大越扛造。
3樓：
前面 @冷冷不冷 提到的是普通工業級IGBT的短路。能把英飛凌寫成因非凌，也是醉了。
補充幾點
關於10us的短路時間，並不是所有器件都保證10us短路時間的。比如各種IPM，醫療裝置常用的高頻IGBT，電動汽車領域的一些器件，全SiC的MOSFET等等。
另外，在高壓IGBT領域還有一些短路試驗的方式。我一般稱之為花樣作死。
1. IGBT的RBSOA一般是兩倍的額定電流可以可靠關斷。那麼先通兩倍電流再發生一次負載短路會發生什麼呢？器件還能堅持住麼？
2. 先是正常的半橋試驗，上關下開。然後把下橋臂關閉，這個時候電流就通過上橋臂二極體續流了。
經過乙個死區，上橋臂開啟了，電流還是過上橋臂二極體的。這個時候下橋臂因為各種雜訊誤導通了，出現了上面說的一次短路。這個和直接做一類短路不太相同。
但是器件一般還都抗的住。
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