1樓：宮非
2020-09-26
化學機械拋光（CMP）是製造大直徑晶圓的技術之一。在晶圓製造工藝中，新層的建立會產生不平的平面，使用化學機械拋光技術以平整晶體表面。在這個應用中，這個技術又被稱為「化學機械平坦化」，也是所謂的「單拋」。
積體電路與電晶體。
在許多情況下，只是晶圓的正面經過充分的化學機械拋光，但背面仍留下從粗糙或腐蝕到光亮的外觀。對於某些器件的使用，背面可能會受到特殊的處理導致晶體缺陷，稱為「背損傷」。背損傷產生位錯的生長輻射進入晶圓，這些位錯現象是陷阱，俘獲在製造工藝中引入的可移動金屬離子汙染，這個俘獲現象又稱為「吸雜」。
背面噴砂是一種標準的技術，其他方法包括背面多晶層或氮化矽的沉積，對更大直徑晶圓的許多要求之一，是平整和平行的表面。許多 300mm 晶圓的製造採用了雙面拋光，以獲得區域性平整度在 25mm*25mm 測量麵時，小於 0.25um 到 0.
18um 的規格要求，缺點是在後面工序中必須使用無劃傷和不汙染背面的操作技術。
拉出矽晶柱的過程。
電晶體不是晶圓，晶圓製造廠會將矽純化、溶解成液態，再從中拉出柱狀的矽晶柱，上面有一格一格的矽晶格，後續可供電晶體安置上去。
晶圓上面的晶格可供電晶體置入。
接下來，晶圓廠會用鑽石刀像切火腿一般，將一整條的晶柱切成一片片的薄片，再經過拋光後，就變成了「晶圓，wafer」，也就是晶元的基板；晶圓上面的晶格可供電晶體置入。
電晶體。
所以說，單拋矽片是指單面拋光的矽片，背面非拋光面的矽片，用於單面工藝；雙拋矽片是指雙面拋光的矽片，用於雙面工藝。沒聽過～氧化矽有單拋雙面或單拋單面的說法！
電晶體的運作原理。
注：電晶體是奈米等級，比人體細胞還要小。三星以及台積電在先進半導體製程的5nm 之爭，5nm 指的就是電晶體電流通道的寬度，寬度越窄、耗電量越低；然而原子的大小約為0.
1nm，5nm 的通道僅能供一百多顆原子通過，故製作過程中只要有一顆原子缺陷、或者出現一絲雜質，就會影響產品的良率。分類：
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