ic晶元裡面可以做電容和電阻嗎

1樓：李明陽

可以，但是一般不這麼搞，你翻開intel的cpu，你會發現都變成外接的了。

用成本最低的方式解決問題。

坦克能耕地，但是不代表你要用它耕地，明明拖拉機就足夠了，就是這個意思。

2樓：熱那亞的咕咕鳥

都可以，還可以做變容器，電感，巴倫等等

電阻可以從Ω做到MΩ，電容從fF到pF，電感一般幾十nH以內，Q值較低，如果是SOI工藝的話Q值還可以。

3樓：白山頭

可以做，但是做大的電容的話，比較浪費面積，晶元的面積就是成本。所以，如果需要比較大的電容的話，一般是通過外接的方式。

外接的話也有兩種方式，一種是將電容封裝到package中，也可以放到PCB板上。

4樓：遠山看海

沒專業做過IC，不過平時了解到，可以是可以，只是太佔面積了，比如IC內部常用的上下拉可選阻值，就是內部電阻。

而相對於電阻來說電容更佔面積了，所以很多IC周圍會放大量的PDN電容。

5樓：luogu

你能看到的多數器件都能整合進去，阻容器件、電感 MOS 二三極體都可以，IC做電阻還方便一點，畢竟是個玩意都有電阻，但是電容電感啥的，不是不能整合，而是容量做不大，還費面積，所以你仔細看IC，你會發現，基本上電感個電容都要求你外界，只有那種極小容量的（幾個PF），可能會幫你整合在IC裡面。

6樓：willson

ic晶元的體積是很小的，常用電阻和電容的體積相對乙個mos管來說，是非常大了，所以需要電阻和電容的部分通常是在片外實現，比如晶振。

然而晶元內還是需要有點特殊的電阻和電容的，比如三態門的高阻狀態和動態RAM的動態電容，都是必須「做」在晶元內的，但它們是基於矽製成的，大小與mos管相當或更小。

7樓：不二過

當然可以,比如:

-LDO(Low Dropout Regulator)需要電阻形成反饋,需要電容產生零點來穩定電路(當然也有不用電容的LDO)

-Bandgap Voltage Reference需要電阻形成PTAT電流

我公司就曾使用SMIC55(就是最小L=55nm)技術來做以上兩種,還有VCO(Voltage Controlled Oscillator)

題外:電阻和電容基本無處不在,有時甚至成為問題。比如在LDO中的電容因為不是ideal,會有ESR (Equivalent series resistance),可以想象成乙個電容裡串聯乙個電阻,這會影響LDO的表現(比如Overshooting Voltage,更差的PSRR)

-把MOSFET的G連線DC Bias就可以看成乙個電阻

-把MOSFET 的D、S、B連線在一起成一端,G為另一端就成為電容(MOS Capacitor),所以我估計就算再小(比如7nm)也能用電容

MOS Capacitor可以做得很少而電容高,在我公司有個電路就是因為MOS Capacitor太小,要併聯多乙個電容才能滿足廠商對金屬密度(Metal Density)的要求(不能太低),而且避免浪費幾層Metal Layer

8樓：

半業餘回答。上過一點半導體器件物理課，有些知識點還記得。

半導體的摻雜濃度和電阻率成反比，摻雜濃度大於本徵濃度，表現為載流子過剩，這種「半自由」的載流子越多，承載電流能力越強，體現為半導體的電阻。而不同材料之間的接觸，由於勢壘的存在，還會造成乙個接觸電阻。所以半導體的體電阻+異質接觸電阻，就是實際的電阻大小。

PN節本身就因為耗盡區的存在而存在寄生電容，對一定頻率的交流電來說，PN節耗盡區中由於電荷的漂移擴散存在延時，電荷可以在耗盡區兩端聚集，就可以作為電容。而MOS結構中引入絕緣介質層，本身就是乙個電容，甚至，在襯柵間新增直流bias使有源層耗盡厚度變化，對交流訊號來說，還是乙個可調的電容器。

9樓：小夜啼鳥

MOSFET的固有電容，本身就是PDN（power distribution network）的一部分. 現在先進製程也越來越多在die上整合了MIM (Metal insulator metal)電容以提高PDN對更大電流變化時電壓完整性的支援。

Intel的CPU直接把核心供電都搬到了die也就是矽片上，叫FIVR(fully integrated voltage regulator). 作為電源的一部分的電感因為比較大所以是放在封裝package裡，也算廣義上的晶元上吧。

回到問題，電源電感都可以放在晶元上，電阻當然也可以，主要還是看用途。

10樓：消失的苦貓

電阻其實是可以做的，還有專門的雷射調阻工藝。

電容也能做，不過容量非常小，單位pF還是做的出來的。不過外接的設計也很正常，太浪費IC面積了。

真正不好弄的是電感，用電容和放大電路模擬電感也不是個好主意。

另外樓上的廣告連IC都沒搞清楚就來答題了？- =||

11樓：ukm

一般的IC裡面都是多級放大直接耦合，在需要很大的電容的時候由於內部封裝原因不可能將電容做這麼小，所以一般電容外接。(常見於超大規模積體電路，例如CPU下面的密密麻麻的小方塊)。