mosfet夾斷理解誤區到底怎麼解釋？

1樓：CHENYANG

MOSFET能夠形成導電溝道是因為柵氧化層上的電壓在溝道中形成了垂直於襯底的縱向電場。

考慮VGD（不是VDG），當漏端加電壓為零時，柵氧化層上的壓降最大，形成的縱向電場最強；當漏端加正電壓時，VGD減小，導致柵氧化層內電場減弱，柵氧化層上的壓降減小，削弱了溝道中的縱向電場，直至VGD減小到小於開啟電壓（Vgsth/Vgdth=Vth），此時產生預夾斷。

整個過程就是漏端電壓影響氧化層上的電壓進而影響到縱向電場的強弱。

2樓：王墨麟

電力線描繪了電場的走向和空間分布，電力線的疏密反映了各處電場的強弱以N溝道為例，溝道區的產生其實就是在電場作用下（將柵極看成是正電荷），電力線終止於負電荷。較低的柵極電壓相當於稀疏的電力線。未形成溝道時，電力線終止在P型襯底的電離雜質上。

隨著柵極電壓的增加，電力線密度增加，固有摻雜濃度的負電荷面密度無法滿足電力線的終止，因此，襯底中的少子也就會在表面集聚，就形成了所謂的溝道。需要注意的是，一旦當溝道形成後，繼續增加的電力線將不再終止於襯底的電離雜質而是全部終止在溝道區的電子，稱為最大耗盡層厚度近似。

襯底體內為0電勢參考點，襯源短接

電力線描繪了電場的走向和空間分布，電力線的疏密反映了各處電場的強弱由於電勢疊加原理，當漏極電壓增加時，相當於漏極附近的溝道區絕對電勢上公升，柵極電壓不變，相當於柵氧化層厚度上的電勢降落減小，跨越柵氧化層的電場強度減小。對應於電力線稀疏，由於溝道區內的電子面密度一定，因此，厚度應當減小。

3樓：

不要「有可能」啊……覺得有可能你就算一下電勢差到底會不會小於閾值電壓啊……

設源漏電壓Vds，源柵電壓Vgs，Vgs>Vth。

假設源漏間是勻強電場（因為溝道區電荷密度很小，所以可以這麼假設），那麼溝道電勢從源到漏線性分布。而柵上各處的電位是一樣的。

那麼在溝道靠近漏級一端，柵到溝道的電勢差是Vgs-Vds，如果Vds>Vgs-Vth 這個電勢差不就小於Vth了麼？所以當Vds>Vgs-Vth時，溝道飽和，夾斷發生。